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參數(shù)資料
| 型號： | MB8116165A-60 |
| 廠商： | Fujitsu Limited |
| 英文描述： | CMOS 1M ×16 BIT Hyper Page Mode Dynamic RAM(CMOS 1M ×16 位超級頁面存取模式動態(tài)RAM) |
| 中文描述： | 的CMOS 100萬× 16位的超頁模式動態(tài)RAM的CMOS（100萬× 16位超級頁面存取模式動態(tài)內(nèi)存） |
| 文件頁數(shù)： | 15/30頁 |
| 文件大?。?/td> | 376K |
| 代理商： | MB8116165A-60 |
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15
MB8116165A-60/MB8116165A-70
Fig. 7 – DELAYED WRITE CYCLE (OE CONTROLLED)
RAS
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
LCAS
or
UCAS
WE
DQ
(Input)
A
0
to A
11
V
OH
V
OL
DQ
(Output)
V
IH
V
IL
OE
DESCRIPTION
In the delayed write cycle, t
WCS
is not satisfied; thus, the data on the DQ pins are latched with the falling edge of WE and written
into memory. The Output Enable (OE) signal must be changed from Low to High before WE goes Low (t
OED
+ t
T
+ t
DS
).
t
RC
t
RAS
t
RCD
t
CRP
t
ASR
t
CAH
t
RCS
t
DZC
“H” or ”L”
Invalid Data
t
RP
t
ASC
t
RAH
t
CWL
t
WP
t
DS
t
DH
t
OED
t
DZO
t
OEH
t
OEZ
ROW
ADD
COL
ADD
VALID
DATA IN
t
WCH
t
RWL
HIGH-Z
HIGH-Z
HIGH-Z
t
ON
t
ON
t
RSH
t
CAS
t
CSH
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MB8116165A-70 | CMOS 1M ×16 BIT Hyper Page Mode Dynamic RAM(CMOS 1M ×16 位超級頁面存取模式動態(tài)RAM) |
| MB8116165B-50 | 1 M ×16 BIT Hyper Page Mode Dynamic RAM(CMOS 1 M ×16位超級頁面存取模式動態(tài)RAM) |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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