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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MB81117422A-84 |
| 廠商： | Fujitsu Limited |
| 英文描述： | CMOS 2×2M ×4 Bit Synchronous Dynamic RAM(CMOS 2×2M ×4 位同步動(dòng)態(tài)RAM) |
| 中文描述： | 的CMOS 2 × 200萬× 4位同步動(dòng)態(tài)RAM（2 × 200萬的CMOS × 4位同步動(dòng)態(tài)RAM）的 |
| 文件頁數(shù)： | 40/44頁 |
| 文件大小： | 273K |
| 代理商： | MB81117422A-84 |
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MB81117422A-125/-100/-84/-67
Note:
Precharge at read with Auto-precharge command (READA) is started from number of clocks that is the same
as CAS Latency (CL) after READA command is asserted.
TIMING DIAGRAM - 14 : WRITE WITH AUTO-PRECHARGE
(Example @ CL = 2, BL = 2 APPLIED TO SAME BANK)
Note:
Precharge at write with auto-precharge is started after the t
from the end of burst.
Even if the final data is masked by DQM, the precharge does not start the clock of final data input.
Once Auto precharge command is asserted, no new command within the same bank can be issued.
Auto-precharge command doesn’t affect at full column burst operation except Burst Read & Single Write mode.
CLK
Command
DQ
READA
ACTV
NOP or DESL
DQM
ACTV
Q1
Q2
t
RAS
(min)
2 clocks
(same value as CL)
t
RP
(min)
CLK
Command
DQ
WRITA
ACTV
NOP or DESL
DQM
ACTV
t
RAS
(min) – t
RWL
(min)
D1
D2
t
RWL
(min) + t
RP
(min)
TIMING DIAGRAM - 13 : READ WITH AUTO-PRECHARGE
(Example @ CL = 2, BL = 2 APPLIED TO SAME BANK)
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