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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MB81117422A-84 |
| 廠商： | Fujitsu Limited |
| 英文描述： | CMOS 2×2M ×4 Bit Synchronous Dynamic RAM(CMOS 2×2M ×4 位同步動(dòng)態(tài)RAM) |
| 中文描述： | 的CMOS 2 × 200萬(wàn)× 4位同步動(dòng)態(tài)RAM（2 × 200萬(wàn)的CMOS × 4位同步動(dòng)態(tài)RAM）的 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 11/44頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 273K |
| 代理商： | MB81117422A-84 |
第1頁(yè)第2頁(yè)第3頁(yè)第4頁(yè)第5頁(yè)第6頁(yè)第7頁(yè)第8頁(yè)第9頁(yè)第10頁(yè)當(dāng)前第11頁(yè)第12頁(yè)第13頁(yè)第14頁(yè)第15頁(yè)第16頁(yè)第17頁(yè)第18頁(yè)第19頁(yè)第20頁(yè)第21頁(yè)第22頁(yè)第23頁(yè)第24頁(yè)第25頁(yè)第26頁(yè)第27頁(yè)第28頁(yè)第29頁(yè)第30頁(yè)第31頁(yè)第32頁(yè)第33頁(yè)第34頁(yè)第35頁(yè)第36頁(yè)第37頁(yè)第38頁(yè)第39頁(yè)第40頁(yè)第41頁(yè)第42頁(yè)第43頁(yè)第44頁(yè)
11
MB81117422A-125/-100/-84/-67
(Continued)
Current
State
CS
RAS CAS
WE
Addr
Command
Function
Notes
Write
Recovering
H
X
X
X
X
DESL
NOP (Bank Active after t
WR
/t
BWC
)
L
H
H
H
X
NOP
NOP (Bank Active after t
WR
/t
BWC
)
L
H
H
L
X
BST
NOP (Bank Active after t
WR
/t
BWC
)
L
H
L
H
BA, CA, AP
READ/READA Start Read; Determine AP
*4
L
H
L
L
BA, CA, AP
WRIT/WRITA
New Write; Determine AP
L
L
H
H
BA, RA
ACTV
Illegal
*2
L
L
H
L
BA, AP
PRE/PALL
Illegal
*2
L
L
L
H
X
REF/SELF
Illegal
L
L
L
L
MODE
MRS
Illegal
Write
Recovering
with
Auto-
P
recharge
H
X
X
X
X
DESL
NOP (Precharge after t
RWL
/t
BWL
)
L
H
H
H
X
NOP
NOP (Precharge after t
RWL
/t
BWL
)
L
H
H
L
X
BST
Illegal
L
H
L
H
BA, CA, AP
READ/READA Illegal
*2
L
H
L
L
BA, CA, AP
WRIT/WRITA
Illegal
*2
L
L
H
H
BA, RA
ACTV
Illegal
*2
L
L
H
L
BA, AP
PRE/PALL
Illegal
*2
L
L
L
H
X
REF/SELF
Illegal
L
L
L
L
MODE
MRS
Illegal
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