參數(shù)資料
型號(hào)： MA2SD032
廠商： Panasonic Corporation
英文描述： Schottky Barrier Diodes (SBD) Silicon epitaxial planar type
中文描述： 肖特基二極管（SBD智能交通）硅外延平面型
文件頁(yè)數(shù)： 1/3頁(yè)
文件大?。?/td> 78K
代理商： MA2SD032
Schottky Barrier Diodes (SBD)
MA2SD32
Silicon epitaxial planar type
1
Publication date: October 2003
SKH00132AED
For super high speed switching
■
Features
I
F(AV)
= 200 mA rectification is possible.
Small reverse current: I
R
<
5
μ
A (at V
R
= 30 V)
■
Absolute Maximum Ratings
T
a
=
25
°
C
Parameter
Symbol
Rating
Unit
Reverse voltage
V
R
V
RRM
30
V
Repetitive peak reverse voltage
30
V
Forward current (Average)
I
F(AV)
200
mA
Peak forward current
I
FM
I
FSM
300
mA
Non-repetitive peak forward
surge current
*
1
A
Junction temperature
T
j
125
°
C
°
C
Storage temperature
T
stg
55 to
+
125
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Reverse current
I
R1
V
R
=
10 V
V
R
=
30 V
I
F
=
200 mA
V
R
=
0 V, f
=
1 MHz
I
F
=
I
R
=
100 mA
I
rr
=
10 mA, R
L
=
100
0.5
μ
A
I
R2
V
F
5
Forward voltage
0.49
0.56
V
Terminal capacitance
Reverse recovery time
*
C
t
t
rr
25
pF
2
ns
■
Electrical Characteristics
T
a
=
25
°
C
±
3
°
C
Marking Symbol: 8H
Unit: mm
0.80
+0.05
0.60
+0.05
0.12
+0.05
1
+
–
0
+0
0.30
±
0.05
0.01
±
0.01
1
±
0
0
±
0
1
2
0
±
0
(
(
(
(
5
5
Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7031 measuring methods for diodes.
2. This product is sensitive to electric shock (static electricity, etc.). Due attention must be paid on the charge of a human body
and the leakage of current from the operating equipment.
3. Absolute frequency of input and output is 250 MHz
4.*: t
rr
measurement circuit
1: Anode
2: Cathode
SSMini2-F1 Package
Note)* :
The peak-to-peak value in one cycle of 50 Hz sine wave (non-repetitive)
90%
t
p
=
2
μ
s
t
r
=
0.35 ns
δ
=
0.05
I
F
=
100 mA
I
R
=
100 mA
R
L
=
100
10%
Input Pulse
Output Pulse
I
=
10 mA
t
r
t
p
t
rr
I
F
t
t
Bias Application Unit (N-50BU)
Pulse Generator
(PG-10N)
R
s
=
50
Wave Form
Analyzer
(SAS-8130)
R
i
=
50
V
R
A
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