參數(shù)資料
型號： MA2SD10
廠商： PANASONIC CORP
元件分類： 參考電壓二極管
英文描述： Silicon epitaxial planar type
中文描述： 0.2 A, 20 V, SILICON, SIGNAL DIODE
封裝： ROHS COMPLIANT, SSMINI2-F1, SC-79, 2 PIN
文件頁數(shù)： 1/2頁
文件大?。?/td> 38K
代理商： MA2SD10
1
Schottky Barrier Diodes (SBD)
MA2SD10
Silicon epitaxial planar type
For super-high speed switching circuit
I
Features
Sealed in the super small SS-mini type 2-pin package
Allowing to rectify under (I
F(AV)
= 200 mA) condition
Low forward rise voltage V
F
Allowing high-density mounting
I
Absolute Maximum Ratings
T
a
=
25
°
C
1 : Anode
2 : Cathode
SS-Mini Type Package (2-pin)
Unit : mm
Parameter
Symbol
Rating
Unit
Reverse voltage (DC)
V
R
20
V
Repetitive peak reverse voltage
V
RRM
20
V
Non-repetitive peak forward
surge current
*
I
FSM
1
A
Peak forward current
I
FM
I
F(AV)
T
j
300
mA
Average forward current
200
mA
Junction temperature
125
°
C
°
C
Storage temperature
T
stg
55 to
+
125
Marking Symbol: 2L
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Reverse current (DC)
I
R
V
F1
V
R
= 10 V
I
F
= 5 mA
I
F
= 200 mA
V
R
= 0 V, f
= 1 MHz
20
μ
A
Forward voltage (DC)
0.27
V
V
F2
C
t
0.47
V
Terminal capacitance
40
pF
I
Electrical Characteristics
T
a
=
25
°
C
±
3
°
C
Note) 1. Schottky barrier diode is sensitive to electric shock (static electricity, etc.). Due attention must be paid on the charge of
a human body and the leakage of current from the operating equipment.
2. Rated input/output frequency: 250 MHz
Note) * : The peak-to-peak value in one cycle of 50 Hz sine-wave
(non-repetitive)
0.80
±
0.05
0.80
0
±
0
0
±
0
0
+
0
0
1.20
+
0.05
1.60
±
0.05
1
2
0
+
0
0
0
+
0
0
0.60
0.60
Internal Connection
2
1
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