參數(shù)資料
型號： MA2SD29
廠商： PANASONIC CORP
元件分類： 參考電壓二極管
英文描述： Silicon epitaxial planar type
中文描述： 0.1 A, 30 V, SILICON, SIGNAL DIODE
封裝： SSMINI2-F1, 2 PIN
文件頁數(shù)： 1/3頁
文件大?。?/td> 85K
代理商： MA2SD29
Schottky Barrier Diodes (SBD)
MA2SD29
Silicon epitaxial planar type
1
Publication date: October 2003
SKH00135AED
For super high speed switching
■
Features
Low forward voltage: V
F
<
0.42 V (at I
F
= 100 mA)
Optimum for high frequency rectification because of its short
reverse recovery time t
rr
.
■
Absolute Maximum Ratings
T
a
=
25
°
C
Parameter
Symbol
Rating
Unit
Reverse voltage
V
R
30
V
Repetitive peak reverse voltage
V
RRM
30
V
Forward current (Average)
I
F(AV)
I
FM
I
FSM
100
mA
Peak forward current
200
mA
Non-repetitive peak forward
surge current
*
1
A
Junction temperature
T
j
T
stg
125
°
C
°
C
Storage temperature
55 to
+
125
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Reverse current
I
R1
V
R
=
10 V
V
R
=
30 V
I
F
=
10 mA
I
F
=
100 mA
V
R
=
0 V, f
=
1 MHz
I
F
=
I
R
=
100 mA
I
rr
=
10 mA, R
L
=
100
25
μ
A
I
R2
V
F1
120
Forward voltage
0.25
0.29
V
V
F2
0.39
0.42
Terminal capacitance
Reverse recovery time
*
C
t
t
rr
11
pF
1
ns
■
Electrical Characteristics
T
a
=
25
°
C
±
3
°
C
Marking Symbol: 8M
Unit: mm
0.80
+0.05
0.60
+0.05
0.12
+0.05
1
+
–
0
+0
0.30
±
0.05
0.01
±
0.01
1
±
0
0
±
0
1
2
0
±
0
(
(
(
(
5
5
Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7031 measuring methods for diodes.
2. This product is sensitive to electric shock (static electricity, etc.). Due attention must be paid on the charge of a human body
and the leakage of current from the operating equipment.
3. Absolute frequency of input and output is 250 MHz
4.*: t
rr
measurement circuit
1: Anode
2: Cathode
SSMini2-F1 Package
Note)* :
The peak-to-peak value in one cycle of 50 Hz sine wave (non-repetitive)
90%
t
p
=
2
μ
s
t
r
=
0.35 ns
δ
=
0.05
I
F
=
100 mA
I
R
=
100 mA
R
L
=
100
10%
Input Pulse
Output Pulse
I
=
10 mA
t
r
t
p
t
rr
I
F
t
t
Bias Application Unit (N-50BU)
Pulse Generator
(PG-10N)
R
s
=
50
Wave Form
Analyzer
(SAS-8130)
R
i
=
50
V
R
A
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PDF描述
MA2SD30 Schottky Barrier Diodes Silicon epitaxial planar type For super high speed switching
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MA2SE01 Schottky Barrier Diodes (SBD)
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