參數(shù)資料
型號： MA2SD19
廠商： PANASONIC CORP
元件分類： 參考電壓二極管
英文描述： Silicon epitaxial planar type
中文描述： 0.2 A, 20 V, SILICON, SIGNAL DIODE
封裝： ROHS COMPLIANT, SSMINI2-F1, SC-79, 2 PIN
文件頁數(shù)： 1/3頁
文件大?。?/td> 77K
代理商： MA2SD19
Schottky Barrier Diodes (SBD))
MA2SD19
Silicon epitaxial planar type
1
Publication date: April 2004
SKH00027BED
For super high speed switching
■
Features
Forward current (Average) I
F(AV)
=
200 mA rectification is possible
Low forward voltage: V
F
<
0.47 V
Small reverse current: I
R
<
20
μ
A
■
Absolute Maximum Ratings
T
a
=
25
°
C
Parameter
Symbol
Rating
Unit
Reverse voltage
V
R
V
RRM
I
FSM
20
V
Repetitive peak reverse voltage
20
V
Non-repetitive peak forward
surge current
*
1
A
Peak forward current
I
FM
300
mA
Forward current (Average)
I
F(AV)
T
j
200
mA
Junction temperature
125
°
C
°
C
Storage temperature
T
stg
55 to
+
125
Marking Symbol: 3L
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Forward voltage
V
F
I
F
=
200 mA
V
R
=
10 V
V
R
=
0 V, f
=
1 MHz
I
F
=
I
R
=
100 mA
I
rr
=
10 mA, R
L
=
100
0.47
V
Reverse current
I
R
C
t
t
rr
15
μ
A
Terminal capacitance
Reverse recovery time
*
15
pF
2
ns
■
Electrical Characteristics
T
a
=
25
°
C
±
3
°
C
1 : Anode
2 : Cathode
EIAJ : SC-79
SSMini2-F1 Package
Unit: mm
0.80
+0.05
0.60
+0.05
0.12
+0.05
1
+
–
0
+0
0.30
±
0.05
0.01
±
0.01
1
±
0
0
±
0
1
2
0
±
0
(
(
(
(
5
5
Bias Application Unit (N-50BU)
90%
Pulse Generator
(PG-10N)
R
s
=
50
Wave Form Analyzer
(SAS-8130)
R
i
=
50
t
p
=
2
μ
s
t
=
0.35 ns
δ =
0.05
I
F
=
100 mA
I
R
=
100 mA
R
L
=
100
10%
Input Pulse
Output Pulse
I
=
10 mA
t
r
t
p
t
rr
V
R
I
F
t
t
A
Note)*: The peak-to-peak value in one cycle of 50 Hz sine wave (non-repetitive)
Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7031 measuring methods for diodes.
2. This product is sensitive to electric shock (static electricity, etc.). Due attention must be paid on the charge of a human body
and the leakage of current from the operating equipment.
3. Absolute frequency of input and output is 250 MHz.
4.*: t
rr
measurement circuit
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