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參數資料
| 型號： | M5M4V64S30ATP-8A |
| 廠商： | Mitsubishi Electric Corporation |
| 英文描述： | Octal D-Type Edge-Triggered Flip-Flops with 3-State Outputs 20-SOIC -40 to 85 |
| 中文描述： | 64M號（4銀行甲2097152字× 8位）同步DRAM |
| 文件頁數： | 21/51頁 |
| 文件大?。?/td> | 1161K |
| 代理商： | M5M4V64S30ATP-8A |
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MITSUBISHI LSIs
MITSUBISHI ELECTRIC
M5M4V64S20ATP-8A,-8L,-8, -10L, -10
64M (4-BANK x 4194304-WORD x 4-BIT) Synchronous DRAM
SDRAM (Rev.1.3)
Mar98
[ Read Interrupted by Burst Terminate ]
Similar to a precharge, the burst terminate command, TBST, can interrupt the burst read operation
and disable the data output. The READ to TBST interval is a minimum of one CLK. TBST is mainly
used to interrupt FP bursts. The figures below show examples, of how the output data is terminated
with TBST.
Read Interrupted by Burst Terminate(BL=4)
CLK
Command
READ
TBST
DQ
Q0
Q1
Q2
Command
READ
TBST
DQ
Q0
Q1
Q2
Q3
Command
READ
TBST
DQ
Q0
Command
READ
TBST
DQ
Q0
Q1
Q2
Command
READ
TBST
DQ
Q0
Q1
Q2
Q3
Command
READ
TBST
DQ
Q0
CL=3
CL=2
21
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M5M4V64S30ATP-8L | Octal D-Type Edge-Triggered Flip-Flops with 3-State Outputs 20-SOIC -40 to 85 |
| M5M4V64S40ATP-10 | 64M (4-BANK x 1048576-WORD x 16-BIT) Synchronous DRAM |
| M5M4V64S40ATP-10L | 64M (4-BANK x 1048576-WORD x 16-BIT) Synchronous DRAM |
| M5M4V64S40ATP-8 | 64M (4-BANK x 1048576-WORD x 16-BIT) Synchronous DRAM |
| M5M4V64S40ATP-8A | 64M (4-BANK x 1048576-WORD x 16-BIT) Synchronous DRAM |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| M5M4V64S30ATP-8L | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:64M (4-BANK x 2097152-WORD x 8-BIT) Synchronous DRAM |
| M5M4V64S40ATP-10 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:64M (4-BANK x 1048576-WORD x 16-BIT) Synchronous DRAM |
| M5M4V64S40ATP-10L | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:64M (4-BANK x 1048576-WORD x 16-BIT) Synchronous DRAM |
| M5M4V64S40ATP-8 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:64M (4-BANK x 1048576-WORD x 16-BIT) Synchronous DRAM |
| M5M4V64S40ATP-8A | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:64M (4-BANK x 1048576-WORD x 16-BIT) Synchronous DRAM |
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