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參數(shù)資料
| 型號： | M5M4V64S20ATP-8L |
| 廠商： | Mitsubishi Electric Corporation |
| 英文描述： | 64M (4-BANK x 4194304-WORD x 4-BIT) Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 64M號（4銀行甲4194304字× 4位）同步DRAM |
| 文件頁數(shù)： | 40/48頁 |
| 文件大?。?/td> | 1097K |
| 代理商： | M5M4V64S20ATP-8L |
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M5M4V64S20ATP-8, -10, -12
Jan'97
Preliminary
MITSUBISHI LSIs
64M (4-BANK x 4194304-WORD x 4-BIT) Synchronous DRAM
MITSUBISHI ELECTRIC
SDRAM (Rev.0.2)
Write Interrupted by Precharge @BL=4
/CS
/RAS
/CAS
/WE
CKE
DQM
A0-9
A10
A11
BA0,1
DQ
X
X
X
0
Y
0
D0
D0
D0
D0
ACT#0
WRITE#0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
tRCD
WRITE#1
CLK
X
X
X
1
tRRD
1
D1
D1
D1
D1
D1
ACT#1
Y
1
1
Y
Burst Write is not interrupted by
Precharge of the other bank.
0
X
X
X
1
PRE#1
PRE#0
ACT#1
WRITE#1
Burst Write is interrupted by
Precharge of the same bank.
40
Italic parameter
indicates minimum case
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M5M51008KR-10L | 1048576-BIT(131072-WORD BY 8-BIT)CMOS STATIC RAM |
| M5M51008KR-10LL | 1048576-BIT(131072-WORD BY 8-BIT)CMOS STATIC RAM |
| M5M51008KR-55L | 1048576-BIT(131072-WORD BY 8-BIT)CMOS STATIC RAM |
| M5M51008KR-55LL | 1048576-BIT(131072-WORD BY 8-BIT)CMOS STATIC RAM |
| M5M51008BP-10L | 1048576-BIT(131072-WORD BY 8-BIT)CMOS STATIC RAM |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M5M4V64S30ATP-10 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:64M (4-BANK x 2097152-WORD x 8-BIT) Synchronous DRAM |
| M5M4V64S30ATP-10L | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:64M (4-BANK x 2097152-WORD x 8-BIT) Synchronous DRAM |
| M5M4V64S30ATP-12 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:64M (4-BANK x 2097152-WORD x 8-BIT) Synchronous DRAM |
| M5M4V64S30ATP-8 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:64M (4-BANK x 2097152-WORD x 8-BIT) Synchronous DRAM |
| M5M4V64S30ATP-8A | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:64M (4-BANK x 4194304-WORD x 4-BIT) Synchronous DRAM |
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