- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄370973 > M5M4V64S20ATP-10 (Mitsubishi Electric Corporation) 64M (4-BANK x 4194304-WORD x 4-BIT) Synchronous DRAM PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | M5M4V64S20ATP-10 |
| 廠商： | Mitsubishi Electric Corporation |
| 英文描述： | 64M (4-BANK x 4194304-WORD x 4-BIT) Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 64M號（4銀行甲4194304字× 4位）同步DRAM |
| 文件頁數(shù)： | 40/48頁 |
| 文件大?。?/td> | 1097K |
| 代理商： | M5M4V64S20ATP-10 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁當(dāng)前第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁
M5M4V64S20ATP-8, -10, -12
Jan'97
Preliminary
MITSUBISHI LSIs
64M (4-BANK x 4194304-WORD x 4-BIT) Synchronous DRAM
MITSUBISHI ELECTRIC
SDRAM (Rev.0.2)
Write Interrupted by Precharge @BL=4
/CS
/RAS
/CAS
/WE
CKE
DQM
A0-9
A10
A11
BA0,1
DQ
X
X
X
0
Y
0
D0
D0
D0
D0
ACT#0
WRITE#0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
tRCD
WRITE#1
CLK
X
X
X
1
tRRD
1
D1
D1
D1
D1
D1
ACT#1
Y
1
1
Y
Burst Write is not interrupted by
Precharge of the other bank.
0
X
X
X
1
PRE#1
PRE#0
ACT#1
WRITE#1
Burst Write is interrupted by
Precharge of the same bank.
40
Italic parameter
indicates minimum case
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M5M4V64S20ATP-10L | 64M (4-BANK x 4194304-WORD x 4-BIT) Synchronous DRAM |
| M5M4V64S20ATP-12 | 64M (4-BANK x 4194304-WORD x 4-BIT) Synchronous DRAM |
| M5M4V64S20ATP-8 | 64M (4-BANK x 4194304-WORD x 4-BIT) Synchronous DRAM |
| M5M4V64S20ATP-8A | 64M (4-BANK x 4194304-WORD x 4-BIT) Synchronous DRAM |
| M5M4V64S20ATP-8L | 64M (4-BANK x 4194304-WORD x 4-BIT) Synchronous DRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M5M4V64S20ATP-10L | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:64M (4-BANK x 4194304-WORD x 4-BIT) Synchronous DRAM |
| M5M4V64S20ATP-12 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:64M (4-BANK x 4194304-WORD x 4-BIT) Synchronous DRAM |
| M5M4V64S20ATP-8 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:64M (4-BANK x 4194304-WORD x 4-BIT) Synchronous DRAM |
| M5M4V64S20ATP-8A | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:64M (4-BANK x 4194304-WORD x 4-BIT) Synchronous DRAM |
| M5M4V64S20ATP-8L | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:64M (4-BANK x 4194304-WORD x 4-BIT) Synchronous DRAM |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。