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參數(shù)資料
| 型號： | M59DR008E100ZB1T |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | 8 Mbit 512Kb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory |
| 中文描述： | 8兆位512KB的x16插槽，雙行，第低壓閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 2/37頁 |
| 文件大小： | 267K |
| 代理商： | M59DR008E100ZB1T |
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M59DR008E, M59DR008F
2/37
Figure 2A. FBGA Connections (Top View)
AI03213B
C
B
A
8
7
6
5
4
3
2
1
E
D
F
A4
A7
VPP
A8
A11
A13
A0
E
DQ8
DQ5
DQ14
A16
VSS
DQ0
DQ9
DQ3
DQ6
DQ15
VDDQ
DQ1
DQ10
VDD
DQ7
VSS
DQ2
A2
A5
A17
W
A10
A14
A1
A3
A6
DU
DU
A9
A12
A15
RP
A18
DQ4
DQ13
G
DQ12
DQ11
WP
DU
Figure 2B. TSOP Connections
DQ3
DQ10
DQ9
DQ1
DQ2
A6
A5
DQ0
G
VSS
W
RP
A3
A2
A1
DQ6
DQ13
DQ5
A8
NC
A9
A17
A7
A10
DQ14
DQ12
DQ4
DQ15
DQ7
VDD
DQ11
VPP
WP
NC
A18
AI03214
M59DR008E
M59DR008F
12
13
1
24
25
36
37
48
DQ8
NC
A4
A12
A11
A13
A16
VDDQ
VSS
A15
A14
E
A0
Table 1. Signal Names
A0-A18
Address Inputs
DQ0-DQ15
Data Input/Outputs, Command Inputs
E
Chip Enable
G
Output Enable
W
Write Enable
RP
Reset/Power Down
WP
Write Protect
V
DD
Circuitry Supply Voltage
V
DDQ
Input/Output Buffers Supply Voltage
V
PP
Optional Supply Voltage for
Fast Program & Erase
V
SS
Ground
NC
Not Connected Internally
DU
Don’t use as internally connected
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M59DR008E100ZB6T | 8 Mbit 512Kb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory |
| M59DR008E | 8 Mbit 512Kb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory |
| M59DR008EZB | 8 Mbit 512Kb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory |
| M59DR008FZB | 8 Mbit 512Kb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory |
| M59DR008EN | 8 Mbit 512Kb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M59DR008E100ZB6T | 功能描述:閃存 8M (512Kx16) 100ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| M59DR008E120N1T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:8 Mbit 512Kb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory |
| M59DR008E120N6T | 功能描述:閃存 8M (512Kx16) 120ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| M59DR008E120ZB1T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:8 Mbit 512Kb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory |
| M59DR008E120ZB6T | 功能描述:閃存 8M (512Kx16) 120ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
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