- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄359082 > M58LW064C110ZA6T (意法半導(dǎo)體) 64 Mbit (4Mb x16, Uniform Block, Burst) 3V Supply Flash Memory PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | M58LW064C110ZA6T |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | 64 Mbit (4Mb x16, Uniform Block, Burst) 3V Supply Flash Memory |
| 中文描述： | 64兆位（4Mb的x16插槽，統(tǒng)一座，突發(fā)）3V電源快閃記憶體 |
| 文件頁數(shù)： | 36/53頁 |
| 文件大小： | 319K |
| 代理商： | M58LW064C110ZA6T |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁當(dāng)前第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁
M58LW064A, M58LW064B
36/53
Table 26. Asynchronous Write and Latch Enable Controlled Write
(T
A
= 0 to 70
°
C, –40 to 85
°
C, V
DD
= 2.7V to 3.6V, V
DD
= 1.8V to V
DD
)
Symbol
Parameter
Test Condition
Min
Max
Unit
t
AVLH
Address Validto Latch Enable High
10
ns
t
AVWH
Address Validto Write Enable High
E = V
IL
50
ns
t
DVWH
Data Input Valid to Write Enable High
E = V
IL
50
ns
t
ELWL
Chip Enable Low to Write Enable Low
0
ns
t
LHAX
Latch Enable High to Address Transition
3
ns
t
LLLH
Latch Enable low to Latch Enable High
10
ns
t
LLWH
latch Enable Low to Write Enable High
50
ns
t
QVRH
Output Valid to Reset/Power Down VDD
0
ns
t
QVVPL
Output Valid to Program/Erase Enable Low
0
ns
t
RHHWH
Reset/Power Down VHH to Write Enable High
0
ns
t
VPHWH
Program/Erase Enable High to Write Enable High
0
ns
t
WHAX
Write Enable High to Address Transition
E = V
IL
10
ns
t
WHBL
Write Enable High to Read/Busy low
90
ns
t
WHDX
Write Enable High to Input Transition
E = V
IL
10
ns
t
WHEH
Write Enable High to Chip Enable High
0
ns
t
WHGL
Write Enable High to Output Enable Low
35
ns
t
WHWL
Write Enable High to Write Enable Low
30
ns
t
WLWH
Write Enable Low to Write Enable High
E = V
IL
70
ns
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M58LW064C110N6T | 64 Mbit (4Mb x16, Uniform Block, Burst) 3V Supply Flash Memory |
| M58LW064D | 64 Mbit (8Mb x8, 4Mb x16, Uniform Block) 3V Supply Flash Memory |
| M58LW064D110N1 | 64 Mbit (8Mb x8, 4Mb x16, Uniform Block) 3V Supply Flash Memory |
| M58LW064D110N1E | 64 Mbit (8Mb x8, 4Mb x16, Uniform Block) 3V Supply Flash Memory |
| M58LW064D110ZA1E | 64 Mbit (8Mb x8, 4Mb x16, Uniform Block) 3V Supply Flash Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M58LW064D | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:64 Mbit (8Mb x8, 4Mb x16, Uniform Block) 3V Supply Flash Memory |
| M58LW064D110N1 | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述: |
| M58LW064D110N1E | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:64 Mbit (8Mb x8, 4Mb x16, Uniform Block) 3V Supply Flash Memory |
| M58LW064D110N1F | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:64 Mbit (8Mb x8, 4Mb x16, Uniform Block) 3V Supply Flash Memory |
| M58LW064D110N1T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:64 Mbit (8Mb x8, 4Mb x16, Uniform Block) 3V Supply Flash Memory |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。