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參數(shù)資料
| 型號： | M58LW032A110ZA1T |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | 32 Mbit 2Mb x16, Uniform Block, Burst 3V Supply Flash Memory |
| 中文描述： | 32兆位的2Mb x16插槽，統(tǒng)一座，突發(fā)3V電源快閃記憶體 |
| 文件頁數(shù)： | 42/61頁 |
| 文件大小： | 856K |
| 代理商： | M58LW032A110ZA1T |
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Table 28. CFI - Device Voltage and Timing Specification
Note: 1. Bits are coded in Binary Code Decimal, bit7 to bit4 are scaled in Volts and bit3 to bit0 in mV.
2. Bit7 to bit4 are coded in Hexadecimal and scaled in Volts while bit3 to bit0 are in Binary Code Decimal and scaled in 100mV.
3. Not supported.
Table 29. Device Geometry Definition
Address A21-A1
Data
Description
1Bh
27h (1)
VDD Min, 2.7V
1Ch
36h (1)
VDD max, 3.6V
1Dh
00h (2)
VPP min – Not Available
1Eh
00h (2)
VPP max – Not Available
1Fh
04h
2n s typical time-out for Word, DWord prog – Not Available
20h
08h
2n s, typical time-out for max buffer write
21h
0Ah
2n ms, typical time-out for Erase Block
22h
00h (3)
2n ms, typical time-out for chip erase – Not Available
23h
04h
2n x typical for Word Dword time-out max – Not Available
24h
04h
2n x typical for buffer write time-out max
25h
04h
2n x typical for individual block erase time-out maximum
26h
00h (3)
2n x typical for chip erase max time-out – Not Available
Address A21-A1
Data
Description
27h
16h
n where 2n is number of bytes memory Size
28h
29h
01h
00h
Device Interface
2Ah
05h
Maximum number of bytes in Write Buffer, 2n
2Bh
00h
2Ch
01h
Bit7-0 = number of Erase Block Regions in device
2Dh
3Fh
Number (n-1) of Erase Blocks of identical size; n=64
2Eh
00h
2Fh
00h
Erase Block Region Information
x 256 bytes per Erase block (128K bytes)
30h
01h
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M58LW032A110ZA6T | 32 Mbit 2Mb x16, Uniform Block, Burst 3V Supply Flash Memory |
| M58LW032A90N1T | 32 Mbit 2Mb x16, Uniform Block, Burst 3V Supply Flash Memory |
| M58LW032A90N6T | 32 Mbit 2Mb x16, Uniform Block, Burst 3V Supply Flash Memory |
| M58LW032A90ZA1T | 32 Mbit 2Mb x16, Uniform Block, Burst 3V Supply Flash Memory |
| M58MR032-ZCT | 32 Mbit 2Mb x16, Mux I/O, Dual Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M58LW032A110ZA6T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:32 Mbit 2Mb x16, Uniform Block, Burst 3V Supply Flash Memory |
| M58LW032A90N1 | 功能描述:閃存 4Mx8 or 2Mx16 90ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| M58LW032A90N1T | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:FLASH PARALLEL 3V/3.3V 32MBIT 2MX16 90NS 56TSOP - Tape and Reel |
| M58LW032A90N6 | 功能描述:閃存 4Mx8 or 2Mx16 90ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| M58LW032A90N6T | 功能描述:閃存 4Mx8 or 2Mx16 90ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
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