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參數(shù)資料
| 型號： | M52D16161A-10BG |
| 廠商： | ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 512K x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 1M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 9 ns, PBGA60 |
| 封裝： | 6.40 X 10.10 MM, 0.65 MM PITCH, LEAD FREE, VFBGA-60 |
| 文件頁數(shù)： | 8/29頁 |
| 文件大?。?/td> | 771K |
| 代理商： | M52D16161A-10BG |
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ES MT
Extended Mode Register
BA
A10
A9
A8
1 0 0 0 0
M52D16161A
Elite Semiconductor Memory Technology Inc.
Publication Date
:
Apr. 2007
Revision
:
1.5
8/29
A7
A6
A5
A4
X
A3
X
A2
PASR
A1 A0 Address bus
Extended Mode Register Set x =Don’t care
DS
A2-A0
000
001
010
011
100
101
110
111
WT=0
2 Banks
1 Bank (Bank 0, BA=0)
1/2 Bank (BA=A10=0)
R
R
1/4 Bank (BA=A10=A9=0)
R
R
PASR
A6-A5
00
01
10
11
Driver Strength
Full Strength
1/2 Strength
1/4 Strength
R
DS
Remark R : Reserved
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M52D16161A-10TG | 512K x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| M52D32162A | 1M x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| M52D32162A-10BG | 1M x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| M52D32162A-10TG | 1M x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| M52D32162A-7.5BG | 1M x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M52D16161A-10BIG | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:512K x 16Bit x 2Banks Mobile Synchronous DRAM |
| M52D16161A-10TG | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:512K x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| M52D16161A-10TIG | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:512K x 16Bit x 2Banks Mobile Synchronous DRAM |
| M52D16161A-6BIG | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:512K x 16Bit x 2Banks Mobile Synchronous DRAM |
| M52D16161A-6TIG | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:512K x 16Bit x 2Banks Mobile Synchronous DRAM |
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