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參數(shù)資料
| 型號： | M52D16161A-10BG |
| 廠商： | ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 512K x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 1M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 9 ns, PBGA60 |
| 封裝： | 6.40 X 10.10 MM, 0.65 MM PITCH, LEAD FREE, VFBGA-60 |
| 文件頁數(shù)： | 27/29頁 |
| 文件大?。?/td> | 771K |
| 代理商： | M52D16161A-10BG |
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ES MT
PACKAGE DIMENSIONS
M52D16161A
Elite Semiconductor Memory Technology Inc.
Publication Date
:
Apr. 2007
Revision
:
1.5
27/29
50-LEAD TSOP(II) SDRAM(400mil)
Dimension in mm
Nom
-
0.127
1.00
-
0.35
-
0.127
20.95
11.76
10.16
0.50
0.80 REF
0.80 BSC
-
Dimension in inch
Nom
-
0.005
0.039
-
0.014
-
0.005
0.825
0.463
0.400
0.020
0.031 REF
0.031 BSC
-
Symbol
Min
-
0.051
0.95
0.30
0.30
0.12
0.10
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11.56
10.03
0.40
Max
1.20
0.203
1.05
0.45
0.40
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Min
-
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0.037
0.012
0.012
0.005
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0.820
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0.016
Max
0.047
0.008
0.041
0.018
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0.471
0.405
0.024
A
A1
A2
B
B1
C
C1
D
E
E1
L
L1
e
θ
0
8
0
8
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M52D16161A-10TG | 512K x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| M52D32162A | 1M x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| M52D32162A-10BG | 1M x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| M52D32162A-10TG | 1M x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| M52D32162A-7.5BG | 1M x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M52D16161A-10BIG | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:512K x 16Bit x 2Banks Mobile Synchronous DRAM |
| M52D16161A-10TG | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:512K x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| M52D16161A-10TIG | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:512K x 16Bit x 2Banks Mobile Synchronous DRAM |
| M52D16161A-6BIG | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:512K x 16Bit x 2Banks Mobile Synchronous DRAM |
| M52D16161A-6TIG | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:512K x 16Bit x 2Banks Mobile Synchronous DRAM |
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