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參數(shù)資料
| 型號： | M39832-B12WNE6T |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | RECTIFIER, BRIDGE, 600V, 6A, PB-6 |
| 中文描述： | 單芯片8兆1兆x8或512KB的x16閃存和256千位并行EEPROM存儲器 |
| 文件頁數(shù)： | 31/36頁 |
| 文件大小： | 253K |
| 代理商： | M39832-B12WNE6T |
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Symbol
Parameter
M39832
Unit
-120
-150
Min
Max
Min
Max
t
WHQ7V1
(2)
Write Enable High to DQ7 Valid
(Program, W Controlled)
10
10
μ
s
t
WHQ7V2 (2)
Write Enable High to DQ7 Valid
(Sector Erase, W Controlled)
1.5
30
1.5
30
sec
t
EHQ7V1
(2)
Flash Block Enable High to DQ7 Valid
(Program, EF Controlled)
10
10
μ
s
t
EHQ7V2
(2)
Flash Block Enable High to DQ7 Valid
(Sector Erase, EF Controlled)
1.5
30
1.5
30
sec
t
Q7VQV
Q7 Valid to Output Valid (Data Polling)
50
55
ns
Notes:
1. All other timings are defined in Read AC Characteristics table.
2. t
WHQ7V
is the Program or Erase time.
Table 16. Data Polling and Toggle Bit AC Characteristics
(1)
(T
A
= 0 to 70
°
C or –40 to 85
°
C; V
CC
= 2.7V to 3.6V)
Parameter
M39832
Unit
Min
Typ
Typical after
100k W/E Cycles
Max
Flash array Erase (Preprogrammed)
5
5
sec
Flash array Erase
12
12
sec
Flash array Block Erase
2.4
sec
Parameter Block Erase
2.3
sec
Main Block (32Kb) Erase
2.7
sec
Main Block (64Kb) Erase
3.3
15
sec
Chip Program (Byte)
8
8
sec
Byte Program
10
10
μ
s
Word Program
20
20
μ
s
Program/Erase Cycles (per Block)
100,000
cycles
Table 17. Program, Erase Times and Program, Erase Endurance Cycles (Flash Block)
(T
A
= 0 to 70
°
C; V
CC
= 2.7V to 3.6V)
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M39832
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| M464S0924DTS-L1H | 8Mx64 SDRAM SODIMM based on 8Mx16, 4Banks, 4K Refresh, 3.3V Synchronous DRAMs with SPD |
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參數(shù)描述 |
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| M39832-B15WNE6T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:Single Chip 8 Mbit 1Mb x8 or 512Kb x16 Flash and 256 Kbit Parallel EEPROM Memory |
| M39832NE | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:Single Chip 8 Mbit 1Mb x8 or 512Kb x16 Flash and 256 Kbit Parallel EEPROM Memory |
| M39832-T12WNE1T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:Single Chip 8 Mbit 1Mb x8 or 512Kb x16 Flash and 256 Kbit Parallel EEPROM Memory |
| M39832-T12WNE6T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:Single Chip 8 Mbit 1Mb x8 or 512Kb x16 Flash and 256 Kbit Parallel EEPROM Memory |
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