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參數(shù)資料
| 型號： | M39432 |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | Single Chip 4Mbit Flash and 256Kbit Parallel EEPROM Memory(單片4Mb閃速和256Kb并行EEPROM) |
| 中文描述： | 單芯片的4Mb并行閃存和256Kbit EEPROM存儲器（單片4Mb的閃速和256Kb的并行的EEPROM） |
| 文件頁數(shù)： | 23/30頁 |
| 文件大小： | 247K |
| 代理商： | M39432 |
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Symbol
Alt
Parameter
M39432
Unit
-120
-150
-200
-250
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Min
Max
t
WLWL
t
BLC
Byte Load Cycle (EEPROM)
0.2
150
0.2
150
0.2
150
0.2
150
μ
s
t
WHRH
t
WC
Write Cycle Time (EEPROM)
10
10
10
10
ms
t
AVAV
Address Valid to Next Address
Valid
120
150
200
150
ns
t
WLEL
t
WS
Write Enable Low to Memory
Block Enable Low
0
0
0
0
ns
t
ELEH
t
CP
Memory Block Enable Low to
Memory Block Enable High
50
65
80
50
ns
t
DVEH
t
DS
Input Valid to Memory Block
Enable High
50
65
80
50
ns
t
EHDX
t
DH
Memory Block Enable High to
Input Transition
0
0
0
0
ns
t
EHWH
t
WH
Memory Block Enable High to
Write Enable High
0
0
0
0
ns
t
EHEL
t
CPH
Memory Block Enable High to
Memory Block Enable Low
30
35
35
20
ns
t
AVEL
t
AS
Address Valid to Memory Block
Enable Low
0
0
0
0
ns
t
ELAX
t
AH
Memory Block Enable Low to
Address Transition
50
65
65
50
ns
t
GHEL
Output Enable High to Memory
Block Enable Low
0
0
0
0
ns
t
VCHWL
t
VCS
V
CC
High to Write Enable Low
50
50
50
50
μ
s
t
EHQV1
(1)
Memory Block Enable High to
Output Valid (Program)
15
15
15
10
μ
s
t
EHQV2
(1)
Memory Block Enable High to
Output Valid (Sector Erase)
2.0
30
2.0
30
2.0
30
1.0
30
sec
t
EHGL
t
OEH
Memory Block Enable High to
Output Enable Low
0
0
0
0
ns
t
EHRL
(2)
t
DB
EEPROM Block Enable High to
Ready/Busy Output Low
150
150
150
150
ns
Notes:
1. Time is measured to Data Polling or Toggle Bit, t
WHQV
= t
WHQ7V
+ t
Q7VQV
.
2. With a 3.3K
pull-up resistor.
Table 15. Write AC Characteristics, EE or EF Controlled
(T
A
= 0 to 70
°
C or –40 to 85
°
C; V
CC
= 3.3V
±
0.3V)
23/30
M39432
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M40Z111MH6 | 5V OR 3V NVRAM SUPERVISOR FOR UP TO TWO LPSRAMs |
| M40Z111MH6TR | 5V OR 3V NVRAM SUPERVISOR FOR UP TO TWO LPSRAMs |
| M40Z111WMH6 | 5V OR 3V NVRAM SUPERVISOR FOR UP TO TWO LPSRAMs |
| M40Z111WMH6TR | 5V OR 3V NVRAM SUPERVISOR FOR UP TO TWO LPSRAMs |
| M40Z111 | NVRAM Controller for up to Two LPSRAM(NVRAM控制器) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M39432-10VNC6T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:Single Chip 4 Mbit Flash Memory and 256 Kbit Parallel EEPROM |
| M39432-10WNC6T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:Single Chip 4 Mbit Flash Memory and 256 Kbit Parallel EEPROM |
| M39432-12VNC6T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:Single Chip 4 Mbit Flash Memory and 256 Kbit Parallel EEPROM |
| M39432-12WNC6T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:Single Chip 4 Mbit Flash Memory and 256 Kbit Parallel EEPROM |
| M39432-15VNC6T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:Single Chip 4 Mbit Flash Memory and 256 Kbit Parallel EEPROM |
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