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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | M36W832BE |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | 32 Mbit 2Mb x16, Boot Block Flash Memory and 8 Mbit 512Kb x16 SRAM, Multiple Memory Product |
| 中文描述： | 32兆位的2Mb x16插槽，引導(dǎo)塊閃存和8兆位的SRAM 512KB的x16，內(nèi)存產(chǎn)品多 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 40/64頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 897K |
| 代理商： | M36W832BE |
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M36W832TE, M36W832BE
40/64
Table 21. SRAM Write AC Characteristics
Symbol
Alt
Parameter
SRAM
Unit
Min
Max
t
AVAV
t
WC
Write Cycle Time
70
ns
t
AVE1L
,
t
AVE2H
,
t
AVWL,
t
AS
Address Valid to Beginning of Write
0
ns
t
AVE1H
,
t
AVE2L
t
AVBH
t
AW
Address Valid to Chip Enable 1 Low or Chip Enable 2
High
60
ns
t
AVWH
t
AW
Address Valid to Write Enable High
60
ns
t
BLBH
t
BW
UBS, LBS Low to UBS, LBS High
60
ns
t
DVE1H
,
t
DVE2L
,
t
DVWH
t
DVBH
t
DW
Input Valid to End of Write
30
ns
t
E1HAX
,
t
E2LAX
,
t
WHAX
t
BHAX
t
WR
End of Write to Address Change
0
ns
t
E1HDZ
,
t
E2LDZ
,
t
WHDZ
t
BHDZ
t
HD
Address Transition to End of Write
0
ns
t
E1LE1H,
t
E1LWH
t
CW1
Chip Enable 1 Low to End of Write
60
ns
t
E2HE2L,
t
E2HWH
t
CW2
Chip Enable 2 High to End of Write
60
ns
t
GHQZ
t
GHZ
Output Enable High to Output Hi-Z
25
ns
t
WHQX
t
BHQX
t
DH
Write Enable High to Input Transition
10
ns
t
WLQZ
t
WHZ
Write Enable Low to Output Hi-Z
20
ns
t
WLWH
t
WLE1H
t
WLE2L
t
WP
Write Enable Pulse Width
50
ns
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PDF描述 |
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| M36W832BE70ZA6T | 功能描述:閃存 32M (2Mx16) 70ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類(lèi)型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類(lèi)型: 接口類(lèi)型:SPI 訪問(wèn)時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| M36W832BE85ZA1S | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱(chēng):STMicroelectronics 功能描述:32 Mbit 2Mb x16, Boot Block Flash Memory and 8 Mbit 512Kb x16 SRAM, Multiple Memory Product |
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