參數(shù)資料
型號: M36D0R6040T0ZAIF
廠商: 意法半導(dǎo)體
英文描述: 64 Mbit (4Mb x16, Multiple Bank, Page) Flash Memory and 16 Mbit (1Mb x16) PSRAM, Multi-Chip Package
中文描述: 64兆位(4Mb的x16插槽,多銀行,頁)閃存和16兆位(最快1Mb × 16)移動存儲芯片,多芯片封裝
文件頁數(shù): 3/18頁
文件大?。?/td> 329K
代理商: M36D0R6040T0ZAIF
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M36D0R6040T0, M36D0R6040B0
Table 5. AC Measurement Load Circuit. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12
Table 6. Device Capacitance. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12
Table 7. Flash Memory DC Characteristics - Currents . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13
Table 8. Flash Memory DC Characteristics - Voltages . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13
Table 9. PSRAM DC Characteristics. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14
PACKAGE MECHANICAL . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15
Figure 6. Stacked TFBGA67 12x8mm - 8x8 active ball array, 0.8mm pitch, Package Outline . . . 15
Table 10. Stacked TFBGA67 12x8mm - 8x8 ball array, 0.8mm pitch, Package Mechanical Data . 15
PART NUMBERING . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16
Table 11. Ordering Information Scheme . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16
REVISION HISTORY. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17
Table 12. Document Revision History . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17
相關(guān)PDF資料
PDF描述
M36D0R6040B0ZAIF 64 Mbit (4Mb x16, Multiple Bank, Page) Flash Memory and 16 Mbit (1Mb x16) PSRAM, Multi-Chip Package
M36D0R6040B0ZAIT 64 Mbit (4Mb x16, Multiple Bank, Page) Flash Memory and 16 Mbit (1Mb x16) PSRAM, Multi-Chip Package
M36D0R6040T0ZAI 64 Mbit (4Mb x16, Multiple Bank, Page) Flash Memory and 16 Mbit (1Mb x16) PSRAM, Multi-Chip Package
M36D0R6040T0 64 Mbit (4Mb x16, Multiple Bank, Page) Flash Memory and 16 Mbit (1Mb x16) PSRAM, Multi-Chip Package
M36D0R6040B0ZAIE 64 Mbit (4Mb x16, Multiple Bank, Page) Flash Memory and 16 Mbit (1Mb x16) PSRAM, Multi-Chip Package
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
M36D0R6040T0ZAIT 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:64 Mbit (4Mb x16, Multiple Bank, Page) Flash Memory and 16 Mbit (1Mb x16) PSRAM, Multi-Chip Package
M36DR216C120ZA6T 功能描述:閃存 16M (1Mx16) 120ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
M36DR232 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:32 Mbit 2Mb x16, Dual Bank, Page Flash Memory and 2 Mbit 128K x16 SRAM, Multiple Memory Product
M36DR232A 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:32 Mbit 2Mb x16, Dual Bank, Page Flash Memory and 2 Mbit 128K x16 SRAM, Multiple Memory Product
M36DR232A120ZA6T 功能描述:閃存 32M (2Mx16) 120ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel