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參數(shù)資料
| 型號： | M30LW128D |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | 128 Mbit (two 64Mbit, x8/x16, Uniform Block, Flash Memories) 3V Supply, Multiple Memory Product |
| 中文描述： | 128兆位（兩個64兆比特，x8/x16，統(tǒng)一座，快閃記憶體）3V電源，多記憶體產(chǎn)品 |
| 文件頁數(shù)： | 34/57頁 |
| 文件大?。?/td> | 860K |
| 代理商： | M30LW128D |
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M30LW128D
34/57
Figure 14. Write AC Waveforms, Chip Enable Controlled
Note: 1. Refer to Table 3 for details of how the device is enabled.
2. Not available with the LFBGA88 package.
Table 19. Write AC Characteristics, Chip Enable Controlled.
Symbol
Parameter
Test Condition
M30LW128D
Unit
110
t
AVEH
Address Valid to Chip Enable High
W = V
IL
Min
50
ns
t
DVEH
Data Input Valid to Chip Enable High
W = V
IL
Min
50
ns
t
WLEL
Write Enable Low to Chip Enable Low
Min
0
ns
t
VPHEH
Program/Erase Enable High to Chip Enable High
Min
0
ns
t
EHAX
Chip Enable High to Address Transition
W = V
IL
Min
5
ns
t
EHBL
Chip Enable High to Status/(Ready/Busy) low
Max
500
ns
t
EHDX
Chip Enable High to Input Transition
W = V
IL
Min
5
ns
t
EHWH
Chip Enable High to Write Enable High
Min
0
ns
t
GHEL
Output Enable High to Chip Enable Low
Min
20
ns
t
EHGL
Chip Enable High to Output Enable Low
Min
35
ns
t
EHEL
Chip Enable High to Chip Enable Low
Min
30
ns
t
ELEH
Chip Enable Low to Chip Enable High
W = V
IL
Min
70
ns
AI07512
DQ0-DQ15
STS(2)
E
(1)
A0-A23
W
G
INPUT
VALID
tEHWH
tAVEH
tELEH
tWLEL
VPEN
tEHAX
tEHEL
tEHDX
tDVEH
tVPHEH
tEHGL
tGHEL
tEHBL
(Ready/Busy mode)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M30LW128D110N1T | 128 Mbit (two 64Mbit, x8/x16, Uniform Block, Flash Memories) 3V Supply, Multiple Memory Product |
| M30LW128D110N6T | 128 Mbit (two 64Mbit, x8/x16, Uniform Block, Flash Memories) 3V Supply, Multiple Memory Product |
| M30LW128D110ZA1T | 128 Mbit (two 64Mbit, x8/x16, Uniform Block, Flash Memories) 3V Supply, Multiple Memory Product |
| M30LW128D110ZA6T | 128 Mbit (two 64Mbit, x8/x16, Uniform Block, Flash Memories) 3V Supply, Multiple Memory Product |
| M30LW128D110ZE1T | 128 Mbit (two 64Mbit, x8/x16, Uniform Block, Flash Memories) 3V Supply, Multiple Memory Product |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M30LW128D110N1T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:128 Mbit (two 64Mbit, x8/x16, Uniform Block, Flash Memories) 3V Supply, Multiple Memory Product |
| M30LW128D110N6 | 功能描述:閃存 Two 8Mx8 or 4Mx16 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| M30LW128D110N6T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:128 Mbit (two 64Mbit, x8/x16, Uniform Block, Flash Memories) 3V Supply, Multiple Memory Product |
| M30LW128D110ZA1T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:128 Mbit (two 64Mbit, x8/x16, Uniform Block, Flash Memories) 3V Supply, Multiple Memory Product |
| M30LW128D110ZA6 | 功能描述:閃存 Two 8Mx8 or 4Mx16 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
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