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參數(shù)資料
| 型號： | M30LW128D |
| 廠商： | 意法半導體 |
| 英文描述： | 128 Mbit (two 64Mbit, x8/x16, Uniform Block, Flash Memories) 3V Supply, Multiple Memory Product |
| 中文描述： | 128兆位（兩個64兆比特，x8/x16，統(tǒng)一座，快閃記憶體）3V電源，多記憶體產(chǎn)品 |
| 文件頁數(shù)： | 31/57頁 |
| 文件大小： | 860K |
| 代理商： | M30LW128D |
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M30LW128D
Figure 11. Bus Read AC Waveforms
Note: 1. Refer to Table 3 for details of how the device is enabled.
2. BYTE can be Low or High. The BYTE signal is not available with the LFBGA88 package.
Table 16. Bus Read AC Characteristics
Symbol
Parameter
Test Condition
M30LW128D
Unit
110
t
AVAV
Address Valid to Address Valid
E = V
IL
, G = V
IL
Min
110
ns
t
AVQV
Address Valid to Output Valid
E = V
IL
, G = V
IL
Max
110
ns
t
AXQX
Address Transition to Output Transition
E = V
IL
, G = V
IL
Min
0
ns
t
BLQV
Byte Low (or High) to Output Valid
E = V
IL
, G = V
IL
Max
1
μs
t
BLQZ
Byte Low (or High) to Output Hi-Z
E = V
IL
, G = V
IL
Max
1
μs
t
EHQX
Chip Enable High to Output Transition
G = V
IL
Min
0
ns
t
EHQZ
Chip Enable High to Output Hi-Z
G = V
IL
Max
25
ns
t
ELBL
Chip Enable Low to Byte Low (or High)
G = V
IL
Max
10
ns
t
ELQX
Chip Enable Low to Output Transition
G = V
IL
Min
0
ns
t
ELQV
Chip Enable Low to Output Valid
G = V
IL
Max
110
ns
t
GHQX
Output Enable High to Output Transition
E = V
IL
Min
0
ns
t
GHQZ
Output Enable High to Output Hi-Z
E = V
IL
Max
15
ns
t
GLQX
Output Enable Low to Output Transition
E = V
IL
Min
0
ns
t
GLQV
Output Enable Low to Output Valid
E = V
IL
Max
25
ns
AI07509
E
(1)
G
A0-A23
DQ0-DQ15
VALID
tAXQX
tELQX
tAVQV
tGLQV
tEHQZ
tGHQX
OUTPUT
tAVAV
tEHQX
tGHQZ
tGLQX
tELQV
BYTE
(2)
tELBL
tBLQV
tBLQZ
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M30LW128D110N1T | 128 Mbit (two 64Mbit, x8/x16, Uniform Block, Flash Memories) 3V Supply, Multiple Memory Product |
| M30LW128D110N6T | 128 Mbit (two 64Mbit, x8/x16, Uniform Block, Flash Memories) 3V Supply, Multiple Memory Product |
| M30LW128D110ZA1T | 128 Mbit (two 64Mbit, x8/x16, Uniform Block, Flash Memories) 3V Supply, Multiple Memory Product |
| M30LW128D110ZA6T | 128 Mbit (two 64Mbit, x8/x16, Uniform Block, Flash Memories) 3V Supply, Multiple Memory Product |
| M30LW128D110ZE1T | 128 Mbit (two 64Mbit, x8/x16, Uniform Block, Flash Memories) 3V Supply, Multiple Memory Product |
相關代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M30LW128D110N1T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:128 Mbit (two 64Mbit, x8/x16, Uniform Block, Flash Memories) 3V Supply, Multiple Memory Product |
| M30LW128D110N6 | 功能描述:閃存 Two 8Mx8 or 4Mx16 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| M30LW128D110N6T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:128 Mbit (two 64Mbit, x8/x16, Uniform Block, Flash Memories) 3V Supply, Multiple Memory Product |
| M30LW128D110ZA1T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:128 Mbit (two 64Mbit, x8/x16, Uniform Block, Flash Memories) 3V Supply, Multiple Memory Product |
| M30LW128D110ZA6 | 功能描述:閃存 Two 8Mx8 or 4Mx16 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
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