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參數(shù)資料
| 型號： | M2V56S30ATP-7 |
| 廠商： | Mitsubishi Electric Corporation |
| 英文描述： | 256M Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 256M同步DRAM |
| 文件頁數(shù)： | 8/49頁 |
| 文件大?。?/td> | 244K |
| 代理商： | M2V56S30ATP-7 |
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Feb.2000
MITSUBISHI LSIs
MITSUBISHI ELECTRIC
SDRAM (Rev.1.1)
Single Data Rate
M2V56S20/ 30/ 40/ TP -6, -7, -8
256M Synchronous DRAM
8
FUNCTION TRUTH TABLE (continued)
Current State
/CS
/RAS
/CAS
/WE
Address
Command
Action
WRITE
H
X
X
X
X
DESEL
NOP (Continue Burst to END)
L
L
H
H
H
H
H
L
X
X
NOP
TBST
NOP (Continue Burst to END)
Terminate Burst
L
H
L
H
BA, CA, A10
READ / READA
Terminate Burst, Latch CA,
Begin Read, Determine Auto-
Precharge*3
L
H
L
L
BA, CA, A10
WRITE /
WRITEA
Terminate Burst, Latch CA,
Begin Write, Determine Auto-
Precharge*3
Bank Active / ILLEGAL*2
L
L
H
H
BA, RA
ACT
L
L
L
L
H
L
L
H
BA, A10
X
PRE / PREA
REFA
Terminate Burst, Precharge
ILLEGAL
L
L
L
L
Op-Code,
Mode-Add
MRS
ILLEGAL
READ with
AUTO
PRECHARGE
H
X
X
X
X
DESEL
NOP (Continue Burst to END)
L
H
H
H
X
NOP
NOP (Continue Burst to END)
L
H
H
L
X
TBST
ILLEGAL
L
H
L
H
BA, CA, A10
READ / READA ILLEGAL
L
H
L
L
BA, CA, A10
WRITE /
WRITEA
ILLEGAL
L
L
H
H
BA, RA
ACT
Bank Active / ILLEGAL*2
L
L
H
L
BA, A10
PRE / PREA
ILLEGAL*2
L
L
L
H
X
REFA
ILLEGAL
L
L
L
L
Op-Code,
Mode-Add
MRS
ILLEGAL
WRITE with
AUTO
PRECHARGE
H
X
X
X
X
DESEL
NOP (Continue Burst to END)
L
H
H
H
X
NOP
NOP (Continue Burst to END)
L
H
H
L
X
TBST
ILLEGAL
L
H
L
H
BA, CA, A10
READ / READA ILLEGAL
WRITE /
WRITEA
L
H
L
L
BA, CA, A10
ILLEGAL
L
L
H
H
BA, RA
ACT
Bank Active / ILLEGAL*2
L
L
H
L
BA, A10
PRE / PREA
ILLEGAL*2
L
L
L
H
X
REFA
ILLEGAL
L
L
L
L
Op-Code,
Mode-Add
MRS
ILLEGAL
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M2V56S30TP | 256M Synchronous DRAM |
| M2V56S30TP-8 | 256M Synchronous DRAM |
| M2V56S40TP | 256M Synchronous DRAM |
| M2V56S40TP-8 | 256M Synchronous DRAM |
| M2V56S20AKT | 256M Synchronous DRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M2V56S30ATP-8 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:256M Synchronous DRAM |
| M2V56S30TP | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:256M Synchronous DRAM |
| M2V56S30TP-6 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:256M Synchronous DRAM |
| M2V56S30TP-7 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:256M Synchronous DRAM |
| M2V56S30TP-8 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:256M Synchronous DRAM |
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