- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄370828 > M2V56S30ATP-7 (Mitsubishi Electric Corporation) 256M Synchronous DRAM PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | M2V56S30ATP-7 |
| 廠商： | Mitsubishi Electric Corporation |
| 英文描述： | 256M Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 256M同步DRAM |
| 文件頁數(shù)： | 19/49頁 |
| 文件大小： | 244K |
| 代理商： | M2V56S30ATP-7 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁當(dāng)前第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁
Feb.2000
MITSUBISHI LSIs
MITSUBISHI ELECTRIC
SDRAM (Rev.1.1)
Single Data Rate
M2V56S20/ 30/ 40/ TP -6, -7, -8
256M Synchronous DRAM
19
[ Read Interrupted by Precharge ]
A burst read operation can be interrupted by a precharge of
the same bank
. READ to PRE interval is
minimum 1 CLK.
A PRE command to output disable latency is equivalent to the /CAS Latency.
Read interrupted by Precharge (BL=4)
CLK
Command
DQ
PRE
READ
Q0
Q1
Q2
Command
DQ
PRE
READ
Q0
Q1
Command
DQ
PRE
READ
Q0
Command
DQ
PRE
READ
Q0
Q1
Q2
Command
DQ
PRE
READ
Q0
Q1
Command
DQ
PRE
READ
Q0
CL=2
CL=3
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M2V56S30TP | 256M Synchronous DRAM |
| M2V56S30TP-8 | 256M Synchronous DRAM |
| M2V56S40TP | 256M Synchronous DRAM |
| M2V56S40TP-8 | 256M Synchronous DRAM |
| M2V56S20AKT | 256M Synchronous DRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M2V56S30ATP-8 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:256M Synchronous DRAM |
| M2V56S30TP | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:256M Synchronous DRAM |
| M2V56S30TP-6 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:256M Synchronous DRAM |
| M2V56S30TP-7 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:256M Synchronous DRAM |
| M2V56S30TP-8 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:256M Synchronous DRAM |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。