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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | M2V56S20AKT |
| 廠商： | Mitsubishi Electric Corporation |
| 英文描述： | 256M Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 256M同步DRAM |
| 文件頁數(shù)： | 6/49頁 |
| 文件大?。?/td> | 244K |
| 代理商： | M2V56S20AKT |
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Feb.2000
MITSUBISHI LSIs
MITSUBISHI ELECTRIC
SDRAM (Rev.1.1)
Single Data Rate
M2V56S20/ 30/ 40/ TP -6, -7, -8
256M Synchronous DRAM
6
COMMAND TRUTH TABLE
NOTE:
1. A7-9,11-12=L, A0-A6 =Mode Address
H=High Level, L=Low Level, V=Valid, X=Don't Care, n=CLK cycle number
COMMAND
MNEMONIC
CKE
n-1
CKE
n
/CS
/RAS
/CAS
/WE
BA0,1
A10
/AP
A0-9,
11-12
Deselect
DESEL
H
X
H
X
X
X
X
X
X
No Operation
NOP
H
X
L
H
H
H
X
X
X
Row Address Entry &
Bank Activate
ACT
H
X
L
L
H
H
V
V
V
Single Bank Precharge
PRE
H
X
L
L
H
L
V
L
X
Precharge All Banks
PREA
H
X
L
L
H
L
H
X
Column Address Entry
& Write
WRITE
H
X
L
H
L
L
V
L
V
Column Address Entry
& Write with
Auto-Precharge
WRITEA
H
X
L
H
L
L
V
H
V
Column Address Entry
& Read
READ
H
X
L
H
L
H
V
L
V
Column Address Entry
& Read with
Auto-Precharge
READA
H
X
L
H
L
H
V
H
V
Auto-Refresh
REFA
H
H
L
L
L
H
X
X
X
Self-Refresh Entry
REFS
H
L
L
L
L
H
X
X
X
Self-Refresh Exit
REFSX
L
H
H
X
X
X
X
X
X
L
H
L
H
H
H
X
X
X
Burst Terminate
TBST
H
X
L
H
H
L
X
X
X
Mode Register Set
MRS
H
X
L
L
L
L
L
L
V
X
note
1
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M2V56S20ATP | 256M Synchronous DRAM |
| M2V56S20ATP-5 | 256M Synchronous DRAM |
| M2V56S20ATP-6 | 256M Synchronous DRAM |
| M2V56S20ATP-7 | 256M Synchronous DRAM |
| M2V56S20TP | 256M Synchronous DRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M2V56S20AKT-5 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:256M Synchronous DRAM |
| M2V56S20AKT-6 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:256M Synchronous DRAM |
| M2V56S20AKT-7 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:256M Synchronous DRAM |
| M2V56S20ATP | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:256M Synchronous DRAM |
| M2V56S20ATP-5 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:256M Synchronous DRAM |
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