參數(shù)資料
型號(hào)： M2V56S20AKT
廠商： Mitsubishi Electric Corporation
英文描述： 256M Synchronous DRAM
中文描述： 256M同步DRAM
文件頁(yè)數(shù)： 37/49頁(yè)
文件大?。?/td> 244K
代理商： M2V56S20AKT
Feb.2000
MITSUBISHI LSIs
MITSUBISHI ELECTRIC
SDRAM (Rev.1.1)
Single Data Rate
M2V56S20/ 30/ 40/ TP -6, -7, -8
256M Synchronous DRAM
37
Write Interrupted by Write [BL=4]
CLK
/CS
/RAS
/CAS
/WE
CKE
DQM
A0-9,11
A10
A12
BA0,1
DQ
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
X
X
X
0
Y
0
D0
D0
D0
D0
1
Y
0
D0
D0
D0
D0
0
tRCD
Italic paramater
shows minimum case
ACT#0 WRITE#0
WRITE#0
interrupt
other bank
PRE#0
X
X
X
1
tRRD
ACT#1
Y
D0
D1
D1
D1
X
X
X
1
ACT#1
Y
0
WRITE#0 WRITEA#1
interrupt
same bank
interrupt
other bank
tWR
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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M2V56S20ATP-7 256M Synchronous DRAM
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參數(shù)描述
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