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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | M2V56S20AKT |
| 廠商： | Mitsubishi Electric Corporation |
| 英文描述： | 256M Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 256M同步DRAM |
| 文件頁數(shù)： | 29/49頁 |
| 文件大小： | 244K |
| 代理商： | M2V56S20AKT |
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Feb.2000
MITSUBISHI LSIs
MITSUBISHI ELECTRIC
SDRAM (Rev.1.1)
Single Data Rate
M2V56S20/ 30/ 40/ TP -6, -7, -8
256M Synchronous DRAM
29
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
RECOMMENDED OPERATING CONDITIONS
(Ta=0 ~ 70
°
C, unless otherwise noted)
CAPACITANCE
(Ta=0 ~ 70
°
C, Vdd = VddQ = 3.3
±
0.3V, Vss = VssQ = 0V, unless otherwise noted)
Symbol
Parameter
Conditions
Ratings
Unit
Vdd
Supply Voltage
with respect to Vss
-0.5 ~ 4.6
V
VddQ
Supply Voltage for Output
with respect to VssQ
-0.5 ~ 4.6
V
VI
Input Voltage
with respect to Vss
-0.5 ~ Vdd+0.5
V
VO
Output Voltage
with respect to VssQ
-0.5 ~ VddQ+0.5
V
IO
Output Current
50
mA
Pd
Power Dissipation
Ta = 25
°
C
1000
mW
Topr
Operating Temperature
0 ~ 70
°
C
Tstg
Storage Temperature
-65 ~ 150
°
C
Symbol
Parameter
Limits
Unit
Min.
Typ.
Max.
Vdd
Supply Voltage
3.0
3.3
3.6
V
Vss
Supply Voltage
0
0
0
V
VddQ
Supply Voltage for Output
3.0
3.3
3.6
V
VssQ
Supply Voltage for Output
0
0
0
V
VIH
High-Level Input Voltage all inputs
2.0
Vdd+0.3
V
VIL
Low-Level Input Voltage all inputs
-0.3
0.8
V
VI=1.4v
f=1MHz
VI=25mVrms
Unit
Test Condition
Parameter
Symbol
pF
pF
pF
pF
6.5
4.0
3.5
2.5
3.8
2.5
3.8
2.5
Max.
Min.
Input Capacitance, I/O pin
CI/O
Input Capacitance, CLK pin
CI(K)
Input Capacitance, control pin
CI(C)
Input Capacitance, address pin
CI(A)
Limits
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M2V56S20ATP | 256M Synchronous DRAM |
| M2V56S20ATP-5 | 256M Synchronous DRAM |
| M2V56S20ATP-6 | 256M Synchronous DRAM |
| M2V56S20ATP-7 | 256M Synchronous DRAM |
| M2V56S20TP | 256M Synchronous DRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M2V56S20AKT-5 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:256M Synchronous DRAM |
| M2V56S20AKT-6 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:256M Synchronous DRAM |
| M2V56S20AKT-7 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:256M Synchronous DRAM |
| M2V56S20ATP | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:256M Synchronous DRAM |
| M2V56S20ATP-5 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:256M Synchronous DRAM |
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