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參數(shù)資料
| 型號： | M2V56S20AKT |
| 廠商： | Mitsubishi Electric Corporation |
| 英文描述： | 256M Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 256M同步DRAM |
| 文件頁數(shù)： | 16/49頁 |
| 文件大小： | 244K |
| 代理商： | M2V56S20AKT |
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Feb.2000
MITSUBISHI LSIs
MITSUBISHI ELECTRIC
SDRAM (Rev.1.1)
Single Data Rate
M2V56S20/ 30/ 40/ TP -6, -7, -8
256M Synchronous DRAM
16
CLK
Command
A0-9,11-12
A10
BA0-1
DQ
ACT
ACT
Xa
Xa
Xa
00
00
tRCD
tRP
Xa
Read with Auto-Precharge (CL=2, BL=4)
READ
Ya
1
00
Qa0
Qa1
Qa2
Qa3
internal precharge starts
BL
CLK
Command
DQ
ACT
ACT
tRCD
Auto-Precharge Timing (READ, BL=4)
READ
Qa0
Qa1
Qa2
Qa3
internal precharge starts
BL
DQ
Qa0
Qa1
Qa2
Qa3
CL=2
CL=3
CLK
Command
A0-9,11-12
A10
BA0-1
DQ
ACT
READ
ACT
PRE
ACT
Xa
Xb
Yb
Xa
0
Xa
Xb
0
00
01
01
00
Qb0
Qb1
Qb2
Qb3
tRCD
tRCD
tRP
Xa
Multi Bank Interleaving Read (CL=2, BL=4)
READ
Ya
0
00
Qa0
Qa1
Qa2
Qa3
00
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M2V56S20ATP | 256M Synchronous DRAM |
| M2V56S20ATP-5 | 256M Synchronous DRAM |
| M2V56S20ATP-6 | 256M Synchronous DRAM |
| M2V56S20ATP-7 | 256M Synchronous DRAM |
| M2V56S20TP | 256M Synchronous DRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M2V56S20AKT-5 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:256M Synchronous DRAM |
| M2V56S20AKT-6 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:256M Synchronous DRAM |
| M2V56S20AKT-7 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:256M Synchronous DRAM |
| M2V56S20ATP | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:256M Synchronous DRAM |
| M2V56S20ATP-5 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:256M Synchronous DRAM |
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