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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | M2V28D30ATP-10 |
| 廠商： | Mitsubishi Electric Corporation |
| 英文描述： | 353620600 |
| 中文描述： | 128M的雙數(shù)據(jù)速率同步DRAM |
| 文件頁數(shù)： | 3/36頁 |
| 文件大?。?/td> | 1216K |
| 代理商： | M2V28D30ATP-10 |
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3
MITSUBISHI ELECTRIC
Jun,'00
Preliminary
MITSUBISHI LSIs
DDR SDRAM (Rev.0.1)
M2S28D20/ 30/ 40ATP
128M Double Data Rate Synchronous DRAM
Type Designation Code
This rule is applied to only Synchronous DRAM family.
Mitsubishi Main Designation
Speed Grade 10: 125MHz@CL=2.5,100MHz@CL=2.0
75: 133MHz@CL=2.5,100MHz@CL=2.0
Package Type TP: TSOP(II)
Process Generation
Function Reserved for Future Use
Organization 2n 2: x4, 3: x8, 4: x16
DDR Synchronous DRAM
Density 28: 128M bits
Interface V:LVTTL, S:SSTL_3, _2
Memory Style (DRAM)
M 2 S 28 D 3 0 A TP -75
BLOCK DIAGRAM
/CS /RAS /CAS /WE
UDM,
LDM
Memory
Array
Bank #0
DQ0 - 15
I/O Buffer
Memory
Array
Bank #1
Memory
Array
Bank #2
Memory
Array
Bank #3
Mode Register
Control Circuitry
Address Buffer
A0-11
BA0,1
Clock Buffer
CLK, /CLK CKE
Control Signal Buffer
/QFC for x4/x8
QFC&QSBuffer
UDQS,LDQS
DLL
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M2V28D30ATP-75 | 128M Double Data Rate Synchronous DRAM |
| M2V28D40ATP-10 | 128M Double Data Rate Synchronous DRAM |
| M2V28D40ATP-75 | 128M Double Data Rate Synchronous DRAM |
| M2S28D20ATP | 128M Double Data Rate Synchronous DRAM |
| M2S28D20ATP-10 | 128M Double Data Rate Synchronous DRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M2V28D30ATP-75 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:128M Double Data Rate Synchronous DRAM |
| M2V28D40ATP-10 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:128M Double Data Rate Synchronous DRAM |
| M2V28D40ATP-75 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:128M Double Data Rate Synchronous DRAM |
| M2V28S20ATP | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:128M Synchronous DRAM |
| M2V28S20ATP-6 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:128M Synchronous DRAM |
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