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參數(shù)資料
| 型號： | M2V12D30TP-75L |
| 廠商： | Mitsubishi Electric Corporation |
| 英文描述： | 512M Double Data Rate Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 512M雙數(shù)據(jù)速率同步DRAM |
| 文件頁數(shù)： | 28/38頁 |
| 文件大?。?/td> | 754K |
| 代理商： | M2V12D30TP-75L |
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MITSUBISHI
ELECTRIC
-28-
M2S12D20/ 30TP -75, -75L, -10, -10L
512M Double Data Rate Synchronous DRAM
Feb. '02
MITSUBISHI LSIs
DDR SDRAM (Rev.1.1)
MITSUBISHI ELECTRIC
BURST INTERRUPTION
[Read Interrupted by Read]
Burst read operation can be interrupted by the new Read command issued to any other bank.
Random column access is allowed. READ to READ interval is 1CLK as the minimum.
Read Interrupted by Read (BL=8, CL=2)
Command
A0-9,11-12
A10
BA0,1
DQ
Yi
READ READ
READ
READ
Yj
Yk
Yl
0
0
0
0
00
10
00
01
DQS
Qai0
Qai1
Qaj0
Qaj1
Qaj2
Qaj3 Qak0 Qak1 Qak2
Qak3 Qak4 Qak5
Qal0
Qal1
Qal2
Qal3
Qal4
Qal5
Qal6
Qal7
/CLK
CLK
[Read Interrupted by precharge]
Burst read operation can be interrupted by precharge of the same bank. READ to PRE interval is
1 CLK minimum. The time between PRE command to output disable is equal to the CAS Latency.
As a result, READ to PRE interval determines valid data length to be outputed.
The figure below shows the example of BL=8.
Read Interrupted by Precharge (BL=8)
/CLK
CLK
CL=2.5
Command
DQS
Command
DQ
Command
DQ
Q0
Q1
Q2
Q3
Q0
Q1
DQ
Q0
Q1
Q2
Q3
Q4
Q5
PRE
READ
READ
PRE
READ PRE
DQS
DQS
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M2S12D20TP-75L | 512M Double Data Rate Synchronous DRAM |
| M2S12D30TP | 512M Double Data Rate Synchronous DRAM |
| M2S12D30TP-75L | 512M Double Data Rate Synchronous DRAM |
| M2S12D20TP-75 | 128 x 64 pixel format, LED Backlight available |
| M2V12D20TP-75 | 128 x 64 pixel format, LED Backlight available |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M2V28D20ATP-10 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:128M Double Data Rate Synchronous DRAM |
| M2V28D20ATP-75 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:128M Double Data Rate Synchronous DRAM |
| M2V28D30ATP-10 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:128M Double Data Rate Synchronous DRAM |
| M2V28D30ATP-75 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:128M Double Data Rate Synchronous DRAM |
| M2V28D40ATP-10 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:128M Double Data Rate Synchronous DRAM |
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