參數(shù)資料
型號(hào)： M29W160ET90ZA6E
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： CLAMP
中文描述： 16兆位（含2Mb x8或1兆x16插槽，引導(dǎo)塊）3V電源快閃記憶體
文件頁(yè)數(shù)： 26/40頁(yè)
文件大?。?/td> 665K
代理商： M29W160ET90ZA6E
M29W160ET, M29W160EB
26/40
PACKAGE MECHANICAL
Figure 15. TSOP48 – 48 lead Plastic Thin Small Outline, 12 x 20mm, Package Outline
Note: Drawing is not to scale.
Table 16. TSOP48 – 48 lead Plastic Thin Small Outline, 12 x 20mm, Package Mechanical Data
Symbol
millimeters
inches
Typ
Min
Max
Typ
Min
Max
A
1.200
0.0472
A1
0.100
0.050
0.150
0.0039
0.0020
0.0059
A2
1.000
0.950
1.050
0.0394
0.0374
0.0413
B
0.220
0.170
0.270
0.0087
0.0067
0.0106
C
0.100
0.210
0.0039
0.0083
CP
0.080
0.0031
D1
12.000
11.900
12.100
0.4724
0.4685
0.4764
E
20.000
19.800
20.200
0.7874
0.7795
0.7953
E1
18.400
18.300
18.500
0.7244
0.7205
0.7283
e
0.500
–
–
0.0197
–
–
L
0.600
0.500
0.700
0.0236
0.0197
0.0276
L1
0.800
0.0315
α
3
0
5
3
0
5
TSOP-G
B
e
DIE
C
L
A1
α
E1
E
A
A2
1
24
48
25
D1
L1
CP
相關(guān)PDF資料
PDF描述
M29W160ET90ZA6F CLAMP
M29W160ET90ZA6T CLAMP
M29W160DB70ZA1T 16 Mbit 2Mb x8 or 1Mb x16, Boot Block 3V Supply Flash Memory
M29W160DB70ZA6T 16 Mbit 2Mb x8 or 1Mb x16, Boot Block 3V Supply Flash Memory
M29W160DB90N1T Dual Positive-Edge-Triggered D-Type Flip-Flop 8-DSBGA -40 to 85
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
M29W160ET90ZA6F 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:FLASH PARALLEL 3V/3.3V 16MBIT 2MX8/1MX16 90NS 48TFBGA - Tape and Reel
M29W160ET90ZA6T 功能描述:閃存 16M (2Mx8 or 1Mx16) RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類(lèi)型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類(lèi)型: 接口類(lèi)型:SPI 訪問(wèn)時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
M29W160FB 制造商:NUMONYX 制造商全稱:Numonyx B.V 功能描述:16 Mbit or 32 Mbit (x 8 or x 16, boot block) 3 V supply Flash memory
M29W160FB70N3E 功能描述:IC FLASH 16MB 70NS 48TSOP AUTO RoHS:是 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:Axcell™ 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:SRAM - 同步，DDR II 存儲(chǔ)容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤(pán) 其它名稱:71P71804S200BQ
M29W160FB70N3F 功能描述:IC FLASH 16MBIT 70NS 48TSOP RoHS:是 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:Axcell™ 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:SRAM - 同步，DDR II 存儲(chǔ)容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤(pán) 其它名稱:71P71804S200BQ
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