參數(shù)資料
型號： M29W160ET90ZA6E
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： CLAMP
中文描述： 16兆位（含2Mb x8或1兆x16插槽，引導(dǎo)塊）3V電源快閃記憶體
文件頁數(shù)： 25/40頁
文件大?。?/td> 665K
代理商： M29W160ET90ZA6E
25/40
M29W160ET, M29W160EB
Figure 14. Reset/Block Temporary Unprotect AC Waveforms
Table 15. Reset/Block Temporary Unprotect AC Characteristics
Note: 1. Sampled only, not 100% tested.
Symbol
Alt
Parameter
M29W160E
Unit
70
90
t
PHWL (1)
t
PHEL
t
PHGL
(1)
t
RH
RP High to Write Enable Low, Chip Enable Low,
Output Enable Low
Min
50
50
ns
t
RHWL (1)
t
RHEL
(1)
t
RHGL
(1)
t
RB
RB High to Write Enable Low, Chip Enable Low,
Output Enable Low
Min
0
0
ns
t
PLPX
t
RP
RP Pulse Width
Min
500
500
ns
t
PLYH
(1)
t
READY
RP Low to Read Mode
Max
10
10
μs
t
PHPHH (1)
t
VIDR
RP Rise Time to V
ID
Min
500
500
ns
AI02931B
RB
W,
RP
tPLPX
tPHWL, tPHEL, tPHGL
tPLYH
tPHPHH
E, G
tRHWL, tRHEL, tRHGL
相關(guān)PDF資料
PDF描述
M29W160ET90ZA6F CLAMP
M29W160ET90ZA6T CLAMP
M29W160DB70ZA1T 16 Mbit 2Mb x8 or 1Mb x16, Boot Block 3V Supply Flash Memory
M29W160DB70ZA6T 16 Mbit 2Mb x8 or 1Mb x16, Boot Block 3V Supply Flash Memory
M29W160DB90N1T Dual Positive-Edge-Triggered D-Type Flip-Flop 8-DSBGA -40 to 85
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
M29W160ET90ZA6F 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:FLASH PARALLEL 3V/3.3V 16MBIT 2MX8/1MX16 90NS 48TFBGA - Tape and Reel
M29W160ET90ZA6T 功能描述:閃存 16M (2Mx8 or 1Mx16) RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
M29W160FB 制造商:NUMONYX 制造商全稱:Numonyx B.V 功能描述:16 Mbit or 32 Mbit (x 8 or x 16, boot block) 3 V supply Flash memory
M29W160FB70N3E 功能描述:IC FLASH 16MB 70NS 48TSOP AUTO RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:Axcell™ 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ
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