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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | M29W160DB70ZA1T |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | 16 Mbit 2Mb x8 or 1Mb x16, Boot Block 3V Supply Flash Memory |
| 中文描述： | 16兆位的2Mb x8或1兆x16插槽，啟動(dòng)塊3V電源快閃記憶體 |
| 文件頁數(shù)： | 22/40頁 |
| 文件大小： | 665K |
| 代理商： | M29W160DB70ZA1T |
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M29W160ET, M29W160EB
22/40
Figure 11. Read Mode AC Waveforms
Table 12. Read AC Characteristics
Note: 1. Sampled only, not 100% tested.
Symbol
Alt
Parameter
Test Condition
M29W160E
Unit
70
90
t
AVAV
t
RC
Address Valid to Next Address Valid
E = V
IL
,
G = V
IL
Min
70
90
ns
t
AVQV
t
ACC
Address Valid to Output Valid
E = V
IL
,
G = V
IL
Max
70
90
ns
t
ELQX
(1)
t
LZ
Chip Enable Low to Output Transition
G = V
IL
Min
0
0
ns
t
ELQV
t
CE
Chip Enable Low to Output Valid
G = V
IL
Max
70
90
ns
t
GLQX
(1)
t
OLZ
Output Enable Low to Output Transition
E = V
IL
Min
0
0
ns
t
GLQV
t
OE
Output Enable Low to Output Valid
E = V
IL
Max
30
35
ns
t
EHQZ
(1)
t
HZ
Chip Enable High to Output Hi-Z
G = V
IL
Max
25
30
ns
t
GHQZ
(1)
t
DF
Output Enable High to Output Hi-Z
E = V
IL
Max
25
30
ns
t
EHQX
t
GHQX
t
AXQX
t
OH
Chip Enable, Output Enable or Address
Transition to Output Transition
Min
0
0
ns
t
ELBL
t
ELBH
t
ELFL
t
ELFH
Chip Enable to BYTE Low or High
Max
5
5
ns
t
BLQZ
t
FLQZ
BYTE Low to Output Hi-Z
Max
25
30
ns
t
BHQV
t
FHQV
BYTE High to Output Valid
Max
30
40
ns
AI02922
tAVAV
tAVQV
tAXQX
tELQX
tEHQZ
tGLQV
tGLQX
tGHQX
VALID
A0-A19/
A–1
G
DQ0-DQ7/
DQ8-DQ15
E
tELQV
tEHQX
tGHQZ
VALID
tBHQV
tELBL/tELBH
tBLQZ
BYTE
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M29W160DB70ZA6T | 16 Mbit 2Mb x8 or 1Mb x16, Boot Block 3V Supply Flash Memory |
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| M29W160DB90N6T | 16 Mbit 2Mb x8 or 1Mb x16, Boot Block 3V Supply Flash Memory |
| M29W160DB90ZA1T | 16 Mbit 2Mb x8 or 1Mb x16, Boot Block 3V Supply Flash Memory |
| M29W160DB90ZA6T | DUAL 2-INPUT EXCLUSIVE-OR GATE 8-DSBGA -40 to 85 |
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參數(shù)描述 |
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| M29W160DB70ZA6F | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:16 Mbit (2Mb x8 or 1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
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