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參數(shù)資料
| 型號： | M29W160DB70ZA1T |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | 16 Mbit 2Mb x8 or 1Mb x16, Boot Block 3V Supply Flash Memory |
| 中文描述： | 16兆位的2Mb x8或1兆x16插槽，啟動塊3V電源快閃記憶體 |
| 文件頁數(shù)： | 21/40頁 |
| 文件大?。?/td> | 665K |
| 代理商： | M29W160DB70ZA1T |
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M29W160ET, M29W160EB
Table 11. DC Characteristics
Note: 1. Sampled only, not 100% tested.
Symbol
Parameter
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
I
LI
Input Leakage Current
0V
≤
V
IN
≤
V
CC
±1
μ
A
I
LO
Output Leakage Current
0V
≤
V
OUT
≤
V
CC
±1
μ
A
I
CC1
Supply Current (Read)
E = V
IL
, G = V
IH
,
f = 6MHz
4.5
10
mA
I
CC2
Supply Current (Standby)
E = V
CC
±0.2V,
RP = V
CC
±0.2V
35
100
μ
A
I
CC3
(1)
Supply Current
(Program/Erase)
Program/Erase
Controller active
20
mA
V
IL
Input Low Voltage
–0.5
0.8
V
V
IH
Input High Voltage
0.7V
CC
V
CC
+0.3
V
V
OL
Output Low Voltage
I
OL
= 1.8mA
0.45
V
V
OH
Output High Voltage
I
OH
= –100
μ
A
V
CC
–0.4
V
V
ID
Identification Voltage
11.5
12.5
V
I
ID
Identification Current
A9 = V
ID
100
μ
A
V
LKO
Program/Erase Lockout
Supply Voltage
1.8
2.3
V
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PDF描述 |
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