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參數資料
| 型號： | M29F512B45NZ1T |
| 廠商： | 意法半導體 |
| 英文描述： | 512 Kbit 64Kb x8, Bulk Single Supply Flash Memory |
| 中文描述： | 512千位64Kb的× 8，散單電源閃存 |
| 文件頁數： | 9/16頁 |
| 文件大小： | 136K |
| 代理商： | M29F512B45NZ1T |
9/16
M29F512B
Table 9. DC Characteristics
(T
A
= 0 to 70°C)
Symbol
Note: 1. Sampled only, not 100% tested.
Parameter
Test Condition
Min
Max
Unit
I
LI
Input Leakage Current
0V
≤
V
IN
≤
V
CC
±1
μA
I
LO
Output Leakage Current
0V
≤
V
OUT
≤
V
CC
±1
μA
I
CC1
Supply Current (Read)
E = V
IL
, G = V
IH
, f = 6MHz
15
mA
I
CC2
Supply Current (Standby)
E = V
CC
± 0.2V
100
μA
I
CC3
(1)
Supply Current (Program/Erase)
Program/Erase
Controller active
20
mA
V
IL
Input Low Voltage
–0.5
0.8
V
V
IH
Input High Voltage
2
V
CC
+ 0.5
V
V
OL
Output Low Voltage
I
OL
= 5.8mA
0.45
V
V
OH
Output High Voltage
I
OH
= –100μA
V
CC
– 0.4
V
V
ID
Identification Voltage
11.5
12.5
V
I
ID
Identification Current
A9 = V
ID
100
μA
V
LKO
(1)
Program/Erase Lockout Supply
Voltage
3.2
4.2
V
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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| M29KW032E90ZA6T | 32 Mbit 2Mb x16, Uniform Block 3V Supply LightFlash⑩ Memory |
| M29KW032E90ZA3T | 32 Mbit 2Mb x16, Uniform Block 3V Supply LightFlash⑩ Memory |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
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| M29F800AB70M1 | 功能描述:閃存 STD FLASH RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數據總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結構:256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| M29F800AT70N6 | 功能描述:閃存 1Mx8 or 512Kx16 70ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數據總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結構:256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| M29F800AT-90NI | 制造商:STMicroelectronics 功能描述: |
| M29F800DB55M1 | 功能描述:閃存 SO-44 1MX8/512KX16 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數據總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結構:256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
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