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參數(shù)資料
| 型號： | M29F512B45NZ1T |
| 廠商： | 意法半導體 |
| 英文描述： | 512 Kbit 64Kb x8, Bulk Single Supply Flash Memory |
| 中文描述： | 512千位64Kb的× 8，散單電源閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 11/16頁 |
| 文件大?。?/td> | 136K |
| 代理商： | M29F512B45NZ1T |
11/16
M29F512B
Figure 8. Write AC Waveforms, Write Enable Controlled
AI02757
E
G
W
A0-A15
DQ0-DQ7
VALID
VALID
VCC
tVCHEL
tWHEH
tWHWL
tELWL
tAVWL
tWHGL
tWLAX
tWHDX
tAVAV
tDVWH
tWLWH
tGHWL
Table 11. Write AC Characteristics, Write Enable Controlled
(T
A
= 0 to 70 °C)
Symbol
Alt
Parameter
M29F512B
Unit
45
70
t
AVAV
t
WC
Address Valid to Next Address Valid
Min
45
70
ns
t
ELWL
t
CS
Chip Enable Low to Write Enable Low
Min
0
0
ns
t
WLWH
t
WP
Write Enable Low to Write Enable High
Min
40
45
ns
t
DVWH
t
DS
Input Valid to Write Enable High
Min
25
30
ns
t
WHDX
t
DH
Write Enable High to Input Transition
Min
0
0
ns
t
WHEH
t
CH
Write Enable High to Chip Enable High
Min
0
0
ns
t
WHWL
t
WPH
Write Enable High to Write Enable Low
Min
20
20
ns
t
AVWL
t
AS
Address Valid to Write Enable Low
Min
0
0
ns
t
WLAX
t
AH
Write Enable Low to Address Transition
Min
40
45
ns
t
GHWL
Output Enable High to Write Enable Low
Min
0
0
ns
t
WHGL
t
OEH
Write Enable High to Output Enable Low
Min
0
0
ns
t
VCHEL
t
VCS
V
CC
High to Chip Enable Low
Min
50
50
μs
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| M29F800AB70M1 | 功能描述:閃存 STD FLASH RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| M29F800AT70N6 | 功能描述:閃存 1Mx8 or 512Kx16 70ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
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