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參數(shù)資料
| 型號： | M29F512B45NZ1T |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | 512 Kbit 64Kb x8, Bulk Single Supply Flash Memory |
| 中文描述： | 512千位64Kb的× 8，散單電源閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 1/16頁 |
| 文件大?。?/td> | 136K |
| 代理商： | M29F512B45NZ1T |
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PRELIMINARY DATA
July 1999
This is preliminary information on a new product now in development or undergoing evaluation. Details are subject to change without notice.
M29F512B
512 Kbit (64Kb x8, Bulk) Single Supply Flash Memory
I
SINGLE 5V±10% SUPPLY VOLTAGE for
PROGRAM, ERASE and READ OPERATIONS
I
ACCESS TIME: 45ns
I
PROGRAMMING TIME
– 8μs per Byte typical
I
PROGRAM/ERASE CONTROLLER
– Embedded Byte Program algorithm
– Embedded Chip Erase algorithm
– Status Register Polling and Toggle Bits
I
UNLOCK BYPASS PROGRAM COMMAND
– Faster Production/Batch Programming
I
LOW POWER CONSUMPTION
– Standby and Automatic Standby
I
100,000 PROGRAM/ERASE CYCLES
I
20 YEARS DATA RETENTION
– Defectivity below 1 ppm/year
I
ELECTRONIC SIGNATURE
– Manufacturer Code: 20h
– Device Code: 24h
TSOP32 (NZ)
8 x 14mm
PLCC32 (K)
Figure 1. Logic Diagram
AI02739
16
A0-A15
W
DQ0-DQ7
VCC
M29F512B
E
VSS
8
G
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| M29KW032E90ZA6T | 32 Mbit 2Mb x16, Uniform Block 3V Supply LightFlash⑩ Memory |
| M29KW032E90ZA3T | 32 Mbit 2Mb x16, Uniform Block 3V Supply LightFlash⑩ Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| M29F800AB70M1 | 功能描述:閃存 STD FLASH RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| M29F800AT70N6 | 功能描述:閃存 1Mx8 or 512Kx16 70ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
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