參數資料
型號： M29F105B
廠商： 意法半導體
英文描述： 1Mbit (64Kb x16, Block Erase) Single Supply Flash Memory(1Mb閃速存儲器)
中文描述： 為1Mbit（64Kb的x16插槽，塊擦除）單電源閃存存儲器（1MB閃速存儲器）
文件頁數： 18/28頁
文件大?。?/td> 200K
代理商： M29F105B
Symbol
Alt
Parameter
M29F105B
Unit
-55
-70
-90
V
CC
= 5V
±
5%
V
CC
= 5V
±
10%
High Speed
Interface
Standard
Interface
Min
Max
Min
Max
Min
Max
t
WHQ7V
Write Enable High to DQ7 Valid
(Program, W Controlled)
10
2400
10
2400
10
2400
μ
s
Write Enable High to DQ7 Valid
(Chip Erase, W Controlled)
1
30
1
30
1
30
sec
t
EHQ7V
Chip Enable High to DQ7 Valid
(Program, E Controlled)
10
2400
10
2400
10
2400
μ
s
Chip Enable High to DQ7 Valid
(Chip Erase, E Controlled)
1
30
1
30
1
30
sec
t
Q7VQV
Q7 Valid to Output Valid (Data
Polling)
25
30
50
ns
t
WHQV
Write Enable High to Output Valid
(Program)
10
2400
10
2400
10
2400
μ
s
Write Enable High to Output Valid
(Chip Erase)
1
30
1
30
1
30
sec
t
EHQV
Chip Enable High to Output Valid
(Program)
10
2400
10
2400
10
2400
μ
s
Chip Enable High to Output Valid
(Chip Erase)
1
30
1
30
1
30
sec
Note:
1. All other timings are defined in Read AC Characteristics table.
Table17. Data Polling and Toggle Bit AC Characteristics
(1)
(T
A
= 0 to 70
°
C or –40 to85
°
C)
18/28
M29F105B
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PDF描述
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M29F400BT90N1F 4 Mbit (512Kb x8 or 256Kb x16, Boot Block) single supply Flash memory
M29F400BT90N3E 4 Mbit (512Kb x8 or 256Kb x16, Boot Block) single supply Flash memory
M29F400BT90N3F 4 Mbit (512Kb x8 or 256Kb x16, Boot Block) single supply Flash memory
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參數描述
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M29F160FB55N3E2 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:AUTOMOTIVE 5V - Trays 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:IC FLASH 16MBIT 55NS 48TSOP
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M29F160FB5AN6E2 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:AUTOMOTIVE 5V - Trays 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NOR Flash Parallel 5V 16Mbit 2M/1M x 8bit/16bit 55ns 48-Pin TSOP Tray 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:IC FLASH 16MBIT 55NS 48TSOP
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