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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | M29DW128F60ZA6F |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | 128 Mbit (16Mb x8 or 8Mb x16, Multiple Bank, Page, Boot Block) 3V Supply, Flash Memory |
| 中文描述： | 128兆位（16Mb的x8或和8Mb x16插槽，多行，頁(yè)，引導(dǎo)塊）3V電源，快閃記憶體 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 85/93頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 719K |
| 代理商： | M29DW128F60ZA6F |
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M29DW128F
12 Part numbering
85/93
Note 1: RP can be either at V
IH
or at V
ID
when using the In-System Technique to protect the
Extended Block.
Table 42.
Programmer Technique Bus Operations, 8-bit or 16-bit Mode
Operation
E
G
W
Address Inputs
A0-A22
Data Inputs/Outputs
DQ15A–1, DQ14-DQ0
Block (Group) Protect
(1)
1.
Block Protection Groups are shown in
Appendix D
,
Table 34
.
V
IL
V
ID
V
IL
Pulse
A9 = V
ID
, A12-A22 Block Address
Others = X
X
Chip Unprotect
V
ID
V
ID
V
IL
Pulse
A6 = V
IH
, A9 = V
ID
, A12 = V
IH
,
A15 = V
IH
Others = X
X
Block (Group) Protect
Verify
V
IL
V
IL
V
IH
A0 = V
IL
, A1 = V
IH
, A2-A7 = V
IL
,
A9 = V
ID
, A12-A22 Block Address
Others = X
Pass = xx01h
Retry = xx00h.
Block (Group) Unprotect
Verify
V
IL
V
IL
V
IH
A0 = V
IL
, A1 = V
IH
, A2 -A5 = V
IL
,
A6 = V
IH
, A7 = V
IL
,
A9 = V
ID
, A12-A22 Block Address
Others = X
Pass = xx00h
Retry = xx01h.
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