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參數(shù)資料
| 型號： | M29DW128F60ZA1E |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | 128 Mbit (16Mb x8 or 8Mb x16, Multiple Bank, Page, Boot Block) 3V Supply, Flash Memory |
| 中文描述： | 128兆位（16Mb的x8或和8Mb x16插槽，多行，頁，引導(dǎo)塊）3V電源，快閃記憶體 |
| 文件頁數(shù)： | 91/93頁 |
| 文件大?。?/td> | 719K |
| 代理商： | M29DW128F60ZA1E |
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M29DW128F
12 Part numbering
91/93
3.
When the block address is specified, any address in the selected block address space is acceptable. However when
loading Write Buffer address with data, all addresses must fall within the selected Write Buffer page.
DQ7 must be checked since DQ5 and DQ7 may change simultaneously.
If this flowchart location is reached because DQ5=’1’, then the Write to Buffer and Program command failed. If this
flowchart location is reached because DQ1=’1’, then the Write to Buffer and Program command aborted. In both cases, the
appropriate reset command must be issued to return the device in Read mode: a Reset command if the operation failed, a
Write to Buffer and Program Abort and Reset command if the operation aborted.
See
Table 11
and
Table 12
, for details on Write to Buffer and Program command sequence.
4.
5.
6.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M29DW128F60ZA1F | 128 Mbit (16Mb x8 or 8Mb x16, Multiple Bank, Page, Boot Block) 3V Supply, Flash Memory |
| M29DW128F60ZA1T | 128 Mbit (16Mb x8 or 8Mb x16, Multiple Bank, Page, Boot Block) 3V Supply, Flash Memory |
| M29DW128F60ZA6 | 128 Mbit (16Mb x8 or 8Mb x16, Multiple Bank, Page, Boot Block) 3V Supply, Flash Memory |
| M29DW128F60ZA6E | 128 Mbit (16Mb x8 or 8Mb x16, Multiple Bank, Page, Boot Block) 3V Supply, Flash Memory |
| M29DW128F60ZA6F | 128 Mbit (16Mb x8 or 8Mb x16, Multiple Bank, Page, Boot Block) 3V Supply, Flash Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M29DW128F60ZA1F | 制造商:NUMONYX 制造商全稱:Numonyx B.V 功能描述:128 Mbit (16Mb x8 or 8Mb x16, Multiple Bank, Page, Boot Block) 3V supply Flash memory |
| M29DW128F60ZA1T | 制造商:NUMONYX 制造商全稱:Numonyx B.V 功能描述:128 Mbit (16Mb x8 or 8Mb x16, Multiple Bank, Page, Boot Block) 3V supply Flash memory |
| M29DW128F60ZA6 | 制造商:NUMONYX 制造商全稱:Numonyx B.V 功能描述:128 Mbit (16Mb x8 or 8Mb x16, Multiple Bank, Page, Boot Block) 3V supply Flash memory |
| M29DW128F60ZA6E | 功能描述:閃存 STD FLASH 128 MEG RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| M29DW128F60ZA6F | 制造商:NUMONYX 制造商全稱:Numonyx B.V 功能描述:128 Mbit (16Mb x8 or 8Mb x16, Multiple Bank, Page, Boot Block) 3V supply Flash memory |
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