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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | M29DW128F60ZA1E |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | 128 Mbit (16Mb x8 or 8Mb x16, Multiple Bank, Page, Boot Block) 3V Supply, Flash Memory |
| 中文描述： | 128兆位（16Mb的x8或和8Mb x16插槽，多行，頁(yè)，引導(dǎo)塊）3V電源，快閃記憶體 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 62/93頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 719K |
| 代理商： | M29DW128F60ZA1E |
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10 DC and AC parameters
M29DW128F
62/93
Figure 18. Reset/Block Temporary Unprotect AC Waveforms (No Program/Erase Ongoing)
Figure 19. Reset/Block Temporary Unprotect During Program/Erase Operation AC Waveforms
Table 30.
Reset/Block Temporary Unprotect AC Characteristics
Symbol
Alt
Parameter
M29DW128F
Unit
60
70
t
PLYH(1)
1.
Sampled only, not 100% tested.
t
READY
RP Low to Read mode, during Program or
Erase
Max
20
μs
t
PLPX
t
RP
RP Pulse Width
Min
500
ns
t
PHEL,
t
PHGL(1)
t
RH
RP High to Write Enable Low, Chip Enable
Low, Output Enable Low
Min
50
ns
t
RPD
RP Low to Standby Mode.
Min
20
ns
t
RHEL
t
RHGL(1)
t
RB
RB High to Write Enable Low, Chip Enable
Low, Output Enable Low
Min
0
ns
AI11300b
RB
RP
tPLPX
tPHEL,
tPHGL
E, G
AI11301b
RB
RP
tPLPX
tRHEL, tRHGL
E, G
tPLYH
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M29DW128F60ZA1F | 128 Mbit (16Mb x8 or 8Mb x16, Multiple Bank, Page, Boot Block) 3V Supply, Flash Memory |
| M29DW128F60ZA1T | 128 Mbit (16Mb x8 or 8Mb x16, Multiple Bank, Page, Boot Block) 3V Supply, Flash Memory |
| M29DW128F60ZA6 | 128 Mbit (16Mb x8 or 8Mb x16, Multiple Bank, Page, Boot Block) 3V Supply, Flash Memory |
| M29DW128F60ZA6E | 128 Mbit (16Mb x8 or 8Mb x16, Multiple Bank, Page, Boot Block) 3V Supply, Flash Memory |
| M29DW128F60ZA6F | 128 Mbit (16Mb x8 or 8Mb x16, Multiple Bank, Page, Boot Block) 3V Supply, Flash Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M29DW128F60ZA1F | 制造商:NUMONYX 制造商全稱:Numonyx B.V 功能描述:128 Mbit (16Mb x8 or 8Mb x16, Multiple Bank, Page, Boot Block) 3V supply Flash memory |
| M29DW128F60ZA1T | 制造商:NUMONYX 制造商全稱:Numonyx B.V 功能描述:128 Mbit (16Mb x8 or 8Mb x16, Multiple Bank, Page, Boot Block) 3V supply Flash memory |
| M29DW128F60ZA6 | 制造商:NUMONYX 制造商全稱:Numonyx B.V 功能描述:128 Mbit (16Mb x8 or 8Mb x16, Multiple Bank, Page, Boot Block) 3V supply Flash memory |
| M29DW128F60ZA6E | 功能描述:閃存 STD FLASH 128 MEG RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問(wèn)時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| M29DW128F60ZA6F | 制造商:NUMONYX 制造商全稱:Numonyx B.V 功能描述:128 Mbit (16Mb x8 or 8Mb x16, Multiple Bank, Page, Boot Block) 3V supply Flash memory |
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