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參數(shù)資料
| 型號： | M29DW128F60ZA1E |
| 廠商： | 意法半導體 |
| 英文描述： | 128 Mbit (16Mb x8 or 8Mb x16, Multiple Bank, Page, Boot Block) 3V Supply, Flash Memory |
| 中文描述： | 128兆位（16Mb的x8或和8Mb x16插槽，多行，頁，引導塊）3V電源，快閃記憶體 |
| 文件頁數(shù)： | 60/93頁 |
| 文件大小： | 719K |
| 代理商： | M29DW128F60ZA1E |
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10 DC and AC parameters
M29DW128F
60/93
Table 28.
Write AC Characteristics, Chip Enable Controlled
Symbol
Alt
Parameter
M29DW128F
Unit
60
70
t
AVAV
t
WC
Address Valid to Next Address Valid
Min
60
70
ns
t
WLEL
t
WS
Write Enable Low to Chip Enable Low
Min
0
0
ns
t
ELEH
t
CP
Chip Enable Low to Chip Enable High
Min
45
45
ns
t
DVEH
t
DS
Input Valid to Chip Enable High
Min
45
45
ns
t
EHDX
t
DH
Chip Enable High to Input Transition
Min
0
0
ns
t
EHWH
t
WH
Chip Enable High to Write Enable High
Min
0
0
ns
t
EHEL
t
CPH
Chip Enable High to Chip Enable Low
Min
30
30
ns
t
AVEL
t
AS
Address Valid to Chip Enable Low
Min
0
0
ns
ELAX
t
AH
Chip Enable Low to Address Transition
Min
45
45
ns
t
GHEL
Output Enable High Chip Enable Low
Min
0
0
ns
t
EHGL
t
OEH
Chip Enable High to Output Enable Low
Min
0
0
ns
t
EHRL(1)
1.
Sampled only, not 100% tested.
t
BUSY
Program/Erase Valid to RB Low
Max
30
30
ns
t
VCHWL
t
VCS
V
CC
High to Write Enable Low
Min
50
50
μs
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M29DW128F60ZA1F | 128 Mbit (16Mb x8 or 8Mb x16, Multiple Bank, Page, Boot Block) 3V Supply, Flash Memory |
| M29DW128F60ZA1T | 128 Mbit (16Mb x8 or 8Mb x16, Multiple Bank, Page, Boot Block) 3V Supply, Flash Memory |
| M29DW128F60ZA6 | 128 Mbit (16Mb x8 or 8Mb x16, Multiple Bank, Page, Boot Block) 3V Supply, Flash Memory |
| M29DW128F60ZA6E | 128 Mbit (16Mb x8 or 8Mb x16, Multiple Bank, Page, Boot Block) 3V Supply, Flash Memory |
| M29DW128F60ZA6F | 128 Mbit (16Mb x8 or 8Mb x16, Multiple Bank, Page, Boot Block) 3V Supply, Flash Memory |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M29DW128F60ZA1F | 制造商:NUMONYX 制造商全稱:Numonyx B.V 功能描述:128 Mbit (16Mb x8 or 8Mb x16, Multiple Bank, Page, Boot Block) 3V supply Flash memory |
| M29DW128F60ZA1T | 制造商:NUMONYX 制造商全稱:Numonyx B.V 功能描述:128 Mbit (16Mb x8 or 8Mb x16, Multiple Bank, Page, Boot Block) 3V supply Flash memory |
| M29DW128F60ZA6 | 制造商:NUMONYX 制造商全稱:Numonyx B.V 功能描述:128 Mbit (16Mb x8 or 8Mb x16, Multiple Bank, Page, Boot Block) 3V supply Flash memory |
| M29DW128F60ZA6E | 功能描述:閃存 STD FLASH 128 MEG RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結構:256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| M29DW128F60ZA6F | 制造商:NUMONYX 制造商全稱:Numonyx B.V 功能描述:128 Mbit (16Mb x8 or 8Mb x16, Multiple Bank, Page, Boot Block) 3V supply Flash memory |
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