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參數(shù)資料
| 型號： | M295V400T-55N6R |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | 4 Mbit 512Kb x8 or 256Kb x16, Boot Block Single Supply Flash Memory |
| 中文描述： | 4兆位512KB的x8或256Kb的x16插槽，啟動座單電源閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 21/34頁 |
| 文件大?。?/td> | 231K |
| 代理商： | M295V400T-55N6R |
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Symbol
Alt
Parameter
M29F400T / M29F400B
Unit
-55
-70
High Speed
Interface
Standard
Interface
Min
Max
Min
Max
t
AVAV
t
WC
Address Valid to Next Address Valid
55
70
ns
t
WLEL
t
WS
Write Enable Low to Chip Enable Low
0
0
ns
t
ELEH
t
CP
Chip Enable Low to Chip Enable High
30
35
ns
t
DVEH
t
DS
Input Valid to Chip Enable High
25
30
ns
t
EHDX
t
DH
Chip Enable High to Input Transition
0
0
ns
t
EHWH
t
WH
Chip Enable High to Write Enable High
0
0
ns
t
EHEL
t
CPH
Chip Enable High to Chip Enable Low
20
20
ns
t
AVEL
t
AS
Address Valid to Chip Enable Low
0
0
ns
t
ELAX
t
AH
Chip Enable Low to Address Transition
45
45
ns
t
GHEL
Output Enable High Chip Enable Low
0
0
ns
t
VCHWL
t
VCS
V
CC
High to Write Enable Low
50
50
μ
s
t
EHGL
t
OEH
Chip Enable High to Output Enable Low
0
0
ns
t
PHPHH
(1,2)
t
VIDR
RP Rise TIme to V
ID
500
500
ns
t
PLPX
t
RP
RP Pulse Width
500
500
ns
t
EHRL(1)
t
PHWL(1)
t
BUSY
Program Erase Valid to RB Delay
30
30
ns
t
RSP
RP High to Write Enable Low
4
4
μ
s
Notes:
1. Sample only, not 100% tested.
2. This timing is for Temporary Block Unprotection operation.
Table 16A. Write AC Characteristics, Chip Enable Controlled
(T
A
= 0 to 70
°
C, –40 to 85
°
C or –40 to 125
°
C)
21/34
M29F400T, M29F400B
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M295V800AB90M1T | Circular Connector; No. of Contacts:37; Series:JT02R; Body Material:Aluminum; Connecting Termination:Crimp; Connector Shell Size:14; Circular Contact Gender:Socket; Circular Shell Style:Box Mount Receptacle; Insert Arrangement:14-35 |
| M29DW128F60NF1 | 128 Mbit (16Mb x8 or 8Mb x16, Multiple Bank, Page, Boot Block) 3V Supply, Flash Memory |
| M29DW128F60NF1E | 128 Mbit (16Mb x8 or 8Mb x16, Multiple Bank, Page, Boot Block) 3V Supply, Flash Memory |
| M29DW128F60NF1F | 128 Mbit (16Mb x8 or 8Mb x16, Multiple Bank, Page, Boot Block) 3V Supply, Flash Memory |
| M29DW128F60NF1T | 128 Mbit (16Mb x8 or 8Mb x16, Multiple Bank, Page, Boot Block) 3V Supply, Flash Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M295V400T-55N6TR | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:4 Mbit 512Kb x8 or 256Kb x16, Boot Block Single Supply Flash Memory |
| M295V400T-70M1R | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:4 Mbit 512Kb x8 or 256Kb x16, Boot Block Single Supply Flash Memory |
| M295V400T-70M1TR | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:4 Mbit 512Kb x8 or 256Kb x16, Boot Block Single Supply Flash Memory |
| M295V400T-70M3R | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:4 Mbit 512Kb x8 or 256Kb x16, Boot Block Single Supply Flash Memory |
| M295V400T-70M3TR | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:4 Mbit 512Kb x8 or 256Kb x16, Boot Block Single Supply Flash Memory |
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