參數(shù)資料
型號： M28W160ECB70ZB6S
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： 16 Mbit (1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
中文描述： 16兆位（1兆x16插槽，引導(dǎo)塊）3V電源快閃記憶體
文件頁數(shù)： 6/50頁
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代理商： M28W160ECB70ZB6S
M28W160ECT, M28W160ECB
6/50
Figure 2. Logic Diagram
Table 1. Signal Names
Figure 3. TSOP Connections
AI07542
20
A0-A19
W
DQ0-DQ15
VDD
M28W160ECT
M28W160ECB
E
VSS
16
G
RP
WP
VDDQVPP
A0-A19
Address Inputs
DQ0-DQ15
Data Input/Output
E
Chip Enable
G
Output Enable
W
Write Enable
RP
Reset
WP
Write Protect
V
DD
Core Power Supply
V
DDQ
Power Supply for Input/Output
V
PP
Optional Supply Voltage for
Fast Program & Erase
V
SS
Ground
NC
Not Connected Internally
DQ3
DQ10
DQ9
DQ1
DQ2
A6
A5
DQ0
G
VSS
W
RP
A3
A2
A1
NC
NC
DQ6
DQ13
DQ5
A8
A9
A17
A7
A10
DQ14
DQ12
DQ4
DQ15
DQ7
VDD
DQ11
VPP
WP
A19
A18
AI07543
M28W160ECT
M28W160ECB
12
13
1
24
25
36
37
48
DQ8
A4
A12
A11
A13
A16
VDDQ
VSS
A15
A14
E
A0
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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M28W160ECB70ZB6U TrenchMOS (tm) logic level FET - Configuration: Single N-channel ; I<sub>D</sub> DC: 75 A; Q<sub>gd</sub> (typ): 56 nC; R<sub>DS(on)</sub>: 4@10V4.4@5V5.9@4.5V mOhm; Thermal Resistance: 0.5 K/W; V<sub>DS</sub>max: 40 V
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M28W160ECB85N1F 16 Mbit (1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
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參數(shù)描述
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