參數(shù)資料
型號(hào)： M28W160ECB70ZB6S
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： 16 Mbit (1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
中文描述： 16兆位（1兆x16插槽，引導(dǎo)塊）3V電源快閃記憶體
文件頁(yè)數(shù)： 30/50頁(yè)
文件大小： 860K
代理商： M28W160ECB70ZB6S
M28W160ECT, M28W160ECB
30/50
Figure 14. TFBGA46 6.39x6.37mm - 8x6 ball array, 0.75mm pitch, Bottom View Package Outline
Drawing is not to scale.
Table 20. TFBGA46 6.39x6.37mm - 8x6 ball array, 0.75mm pitch, Package Mechanical Data
E1
E
D1
D
b
A2
A1
A
BGA-Z13
ddd
e
e
FD
FE
SD
SE
BALL "A1"
Symbol
millimeters
inches
Typ
Min
Max
Typ
Min
Max
A
1.200
0.0472
A1
0.200
0.0079
A2
1.000
0.0394
b
0.400
0.350
0.450
0.0157
0.0138
0.0177
D
6.390
6.290
6.490
0.2516
0.2476
0.2555
D1
5.250
–
–
0.2067
–
–
ddd
0.100
0.0039
E
6.370
6.270
6.470
0.2508
0.2469
0.2547
e
0.750
–
–
0.0295
–
–
E1
3.750
–
–
0.1476
–
–
FD
0.570
–
–
0.0224
–
–
FE
1.310
–
–
0.0516
–
–
SD
0.375
–
–
0.0148
–
–
SE
0.375
–
–
0.0148
–
–
相關(guān)PDF資料
PDF描述
M28W160ECB70ZB6T Trenchmos (tm) logic level FET - Configuration: Single N-channel ; I<sub>D</sub> DC: 75 A; Q<sub>gd</sub> (typ): 22 nC; R<sub>DS(on)</sub>: 3@10V4@5V4.4@4.5V mOhm; Thermal Resistance: 0.59 K/W; V<sub>DS</sub>max: 30 V
M28W160ECB70ZB6U TrenchMOS (tm) logic level FET - Configuration: Single N-channel ; I<sub>D</sub> DC: 75 A; Q<sub>gd</sub> (typ): 56 nC; R<sub>DS(on)</sub>: 4@10V4.4@5V5.9@4.5V mOhm; Thermal Resistance: 0.5 K/W; V<sub>DS</sub>max: 40 V
M28W160ECB85N1E TrenchMOS (tm) logic level FET - Configuration: Single N-channel ; I<sub>D</sub> DC: 75 A; Q<sub>gd</sub> (typ): 50 nC; R<sub>DS(on)</sub>: 5.8@10V6.3@5V6.7@4.5V mOhm; Thermal Resistance: 0.5 K/W; V<sub>DS</sub>max: 55 V
M28W160ECB85N1F 16 Mbit (1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
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