參數(shù)資料
型號： M28W160ECB70ZB6S
廠商： 意法半導體
英文描述： 16 Mbit (1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
中文描述： 16兆位（1兆x16插槽，引導塊）3V電源快閃記憶體
文件頁數(shù)： 25/50頁
文件大?。?/td> 860K
代理商： M28W160ECB70ZB6S
25/50
M28W160ECT, M28W160ECB
Table 16. Write AC Characteristics, Write Enable Controlled
Note: 1. Sampled only, not 100% tested.
2. Applicable if V
PP
is seen as a logic input (V
PP
< 3.6V).
Symbol
Alt
Parameter
M28W160EC
Unit
70
85
90
100
t
AVAV
t
WC
Write Cycle Time
Min
70
85
90
100
ns
t
AVWH
t
AS
Address Valid to Write Enable High
Min
45
45
50
50
ns
t
DVWH
t
DS
Data Valid to Write Enable High
Min
45
45
50
50
ns
t
ELWL
t
CS
Chip Enable Low to Write Enable Low
Min
0
0
0
0
ns
t
ELQV
Chip Enable Low to Output Valid
Min
70
85
90
100
ns
t
QVVPL
(1,2)
Output Valid to V
PP
Low
Min
0
0
0
0
ns
t
QVWPL
Output Valid to Write Protect Low
Min
0
0
0
0
ns
t
VPHWH
(1)
t
VPS
V
PP
High to Write Enable High
Min
200
200
200
200
ns
t
WHAX
t
AH
Write Enable High to Address Transition
Min
0
0
0
0
ns
t
WHDX
t
DH
Write Enable High to Data Transition
Min
0
0
0
0
ns
t
WHEH
t
CH
Write Enable High to Chip Enable High
Min
0
0
0
0
ns
t
WHEL
Write Enable High to Chip Enable Low
Min
25
25
30
30
ns
t
WHGL
Write Enable High to Output Enable Low
Min
20
20
30
30
ns
t
WHWL
t
WPH
Write Enable High to Write Enable Low
Min
25
25
30
30
ns
t
WLWH
t
WP
Write Enable Low to Write Enable High
Min
45
45
50
50
ns
t
WPHWH
Write Protect High to Write Enable High
Min
45
45
50
50
ns
相關PDF資料
PDF描述
M28W160ECB70ZB6T Trenchmos (tm) logic level FET - Configuration: Single N-channel ; I<sub>D</sub> DC: 75 A; Q<sub>gd</sub> (typ): 22 nC; R<sub>DS(on)</sub>: 3@10V4@5V4.4@4.5V mOhm; Thermal Resistance: 0.59 K/W; V<sub>DS</sub>max: 30 V
M28W160ECB70ZB6U TrenchMOS (tm) logic level FET - Configuration: Single N-channel ; I<sub>D</sub> DC: 75 A; Q<sub>gd</sub> (typ): 56 nC; R<sub>DS(on)</sub>: 4@10V4.4@5V5.9@4.5V mOhm; Thermal Resistance: 0.5 K/W; V<sub>DS</sub>max: 40 V
M28W160ECB85N1E TrenchMOS (tm) logic level FET - Configuration: Single N-channel ; I<sub>D</sub> DC: 75 A; Q<sub>gd</sub> (typ): 50 nC; R<sub>DS(on)</sub>: 5.8@10V6.3@5V6.7@4.5V mOhm; Thermal Resistance: 0.5 K/W; V<sub>DS</sub>max: 55 V
M28W160ECB85N1F 16 Mbit (1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
M28W160ECB85N1S 16 Mbit (1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
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參數(shù)描述
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