參數(shù)資料
型號(hào)： M25PX32-VMW6F
廠商： 意法半導(dǎo)體
元件分類： DRAM
英文描述： 4 Mbit Uniform Sector, Serial Flash Memory
中文描述： 4兆位統(tǒng)一部門，串行閃存
文件頁(yè)數(shù)： 53/63頁(yè)
文件大?。?/td> 394K
代理商： M25PX32-VMW6F
M25PX32
DC and AC parameters
53/63
Table 16.
DC characteristics
Symbol
Parameter
Test condition (in addition
to those in
Table 13
)
Min.
Max.
Unit
I
LI
Input leakage current
± 2
μA
I
LO
Output leakage current
± 2
μA
I
CC1
Standby current
S = V
CC
, V
IN
= V
SS
or
V
CC
50
μA
I
CC2
Deep Power-down current
S = V
CC
, V
IN
= V
SS
or
V
CC
10
μA
I
CC3
Operating current (READ)
C = 0.1V
CC
/ 0.9V
CC
at
75 MHz, DQ1 = open
12
mA
C = 0.1V
CC
/ 0.9V
CC
at
33 MHz, DQ1 = open
4
mA
Operating current (DOFR)
C = 0.1V
CC
/ 0.9V
CC
at
75 MHz, DQ1 = open
15
mA
I
CC4
Operating current (PP)
S = V
CC
15
mA
Operating current (DIFP)
S = V
CC
15
mA
I
CC5
Operating current (WRSR)
S = V
CC
15
mA
I
CC6
Operating current (SE)
S = V
CC
15
mA
I
CC7
Operating current (BE)
S = V
CC
15
mA
I
CCPP
Operating current for Fast
Bulk Erase mode
S = V
CC
, V
PP
= V
PPH
20
mA
I
PP
V
PP
operating current in Fast
Bulk Erase mode
S = V
CC
, V
PP
= V
PPH
20
mA
V
IL
Input low voltage
– 0.5
0.3V
CC
V
V
IH
Input high voltage
0.7V
CC
V
CC
+0.4
V
V
OL
Output low voltage
I
OL
= 1.6 mA
0.4
V
V
OH
Output high voltage
I
OH
= –100 μA
V
CC
–0.2
V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
M25PX32-VMF6E 4 Mbit Uniform Sector, Serial Flash Memory
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M27128A-20F1 NMOS 128K 16K x 8 UV EPROM
M27128A-20F6 NMOS 128K 16K x 8 UV EPROM
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參數(shù)描述
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M25PX32-VZM6FBA 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:SERIAL NOR - Tape and Reel
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