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參數(shù)資料
| 型號： | M25PX32-VMF6E |
| 廠商： | 意法半導體 |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 4 Mbit Uniform Sector, Serial Flash Memory |
| 中文描述： | 4兆位統(tǒng)一部門，串行閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 51/63頁 |
| 文件大?。?/td> | 394K |
| 代理商： | M25PX32-VMF6E |
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M25PX32
Initial delivery state
51/63
8
Initial delivery state
The device is delivered with the memory array erased: all bits are set to 1 (each byte
contains FFh). The Status Register contains 00h (all Status Register bits are 0).
9
Maximum rating
Stressing the device outside the ratings listed in
Table 12: Absolute maximum ratings
may
cause permanent damage to the device. These are stress ratings only, and operation of the
device at these, or any other conditions outside those indicated in the operating sections of
this specification, is not implied. Exposure to absolute maximum rating conditions for
extended periods may affect device reliability. Refer also to the STMicroelectronics SURE
Program and other relevant quality documents.
Table 12.
Absolute maximum ratings
Symbol
Parameter
Min.
Max.
Unit
T
STG
Storage temperature
–65
150
°C
T
LEAD
Lead temperature during soldering
see
(1)
1.
Compliant with JEDEC Std J-STD-020C (for small body, Sn-Pb or Pb assembly), the ST ECOPACK
7191395 specification, and the European directive on Restrictions on Hazardous Substances (RoHS)
2002/95/EU.
JEDEC Std JESD22-A114A (C1 = 100 pF, R1 = 1500
, R2 = 500
).
°C
V
IO
Input and output voltage (with respect to ground)
–0.6
V
CC
+0.6
V
V
CC
Supply voltage
–0.6
4.0
V
V
PP
Fast Program/Erase voltage
–0.2
10.0
V
V
ESD
Electrostatic discharge voltage (Human Body model)
(2)
2.
–2000
2000
V
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M25PX32-VMF6F | 4 Mbit Uniform Sector, Serial Flash Memory |
| M27128A | NMOS 128K 16K x 8 UV EPROM |
| M27128A-20F1 | NMOS 128K 16K x 8 UV EPROM |
| M27128A-20F6 | NMOS 128K 16K x 8 UV EPROM |
| M27128A-25F1 | NMOS 128K 16K x 8 UV EPROM |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M25PX32-VMF6EBA | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:AUTOMOTIVE - Trays |
| M25PX32-VMF6F | 功能描述:IC FLASH 32MBIT 75MHZ 16SOIC RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:Forté™ 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標準包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應商設備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ |
| M25PX32-VMF6FBA | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:AUTOMOTIVE - Tape and Reel |
| M25PX32-VMP6E | 功能描述:IC FLASH 32MBIT 75MHZ 8VFQFPN RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:Forté™ 標準包裝:1 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:4G（256M x 16） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應商設備封裝:48-TSOP I 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:557-1461-6 |
| M25PX32-VMP6F | 功能描述:IC FLASH 32MBIT 75MHZ 8VFQFPN RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:Forté™ 標準包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:4K (512 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:2.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬） 供應商設備封裝:8-MFP 包裝:帶卷 (TR) |
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