參數(shù)資料
型號： M25PX32-VMF6E
廠商： 意法半導(dǎo)體
元件分類： DRAM
英文描述： 4 Mbit Uniform Sector, Serial Flash Memory
中文描述： 4兆位統(tǒng)一部門，串行閃存
文件頁數(shù)： 50/63頁
文件大小： 394K
代理商： M25PX32-VMF6E
Power-up and Power-down
M25PX32
50/63
Figure 28.
Power-up timing
Table 11.
Power-up timing and V
WI
threshold
Symbol
Parameter
Min.
Max.
Unit
t
VSL(1)
t
PUW(1)
V
WI(1)
1.
These parameters are characterized only.
V
CC
(min) to S low
30
μs
Time delay to write instruction
1
10
ms
Write Inhibit voltage
1.5
2.5
V
VCC
AI04009C
VCC(min)
VWI
Reset state
of the
device
Chip Selection not allowed
Program, Erase and Write commands are rejected by the device
tVSL
tPUW
time
Read Access allowed
Device fully
accessible
VCC(max)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
M25PX32-VMF6F 4 Mbit Uniform Sector, Serial Flash Memory
M27128A NMOS 128K 16K x 8 UV EPROM
M27128A-20F1 NMOS 128K 16K x 8 UV EPROM
M27128A-20F6 NMOS 128K 16K x 8 UV EPROM
M27128A-25F1 NMOS 128K 16K x 8 UV EPROM
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參數(shù)描述
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