參數(shù)資料
型號： M13S64164A-6TG
廠商： ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC
元件分類： DRAM
英文描述： 1M x 16 Bit x 4 Banks Double Data Rate SDRAM
中文描述： 4M X 16 DDR DRAM, 0.7 ns, PDSO66
封裝： 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, LEAD FREE, TSOP2-66
文件頁數(shù)： 4/49頁
文件大?。?/td> 1526K
代理商： M13S64164A-6TG
ES MT
Preliminary
M13S64164A
Elite Semiconductor Memory Technology Inc.
Publication Date : Jul. 2007
Revision : 0.3 4/49
Pin Description
(M13S64164A)
Pin Name
Function
Pin Name
Function
A0~A11,
BA0,BA1
Address inputs
- Row address A0~A11
- Column address A0~A7
A10/AP : AUTO Precharge
BA0, BA1 : Bank selects (4 Banks)
LDM, UDM
DM is an input mask signal for write
data. LDM corresponds to the data
on DQ0~DQ7; UDM correspond to
the data on DQ8~DQ15.
DQ0~DQ15
Data-in/Data-out
CLK, CLK
Clock input
RAS
Row address strobe
CKE
Clock enable
CAS
Column address strobe
CS
Chip select
WE
V
SS
Write enable
V
DDQ
Supply Voltage for GDQ
Ground
V
SSQ
Ground for DQ
V
DD
Power
V
REF
Reference Voltage for SSTL-2
LDQS, UDQS
Bi-directional Data Strobe. LDQS
corresponds to the data on DQ0~DQ7;
UDQS correspond to the data on
DQ8~DQ15.
NC
No connection
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PDF描述
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