參數(shù)資料
型號(hào)： M12L32162A-7BG
廠商： ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC
元件分類： DRAM
英文描述： 1M x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM
中文描述： 2M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PBGA54
封裝： 8 X 8 MM, LEAD FREE, BGA-54
文件頁(yè)數(shù)： 16/29頁(yè)
文件大小： 719K
代理商： M12L32162A-7BG
ES MT
Page Read Cycle at Different Bank @ Burst Length=4
Preliminary
M12L32162A
Elite Semiconductor Memory Technology Inc.
Publication Date
:
Apr. 2007
Revision
:
0.3
16/29
*Note: 1.CS can be don’t cared when RAS , CAS and
WE
are high at the clock high going dege.
2.To interrupt a burst read by row precharge, both the read and the precharge banks must be the same.
CLOCK
CKE
CS
RAS
CAS
BA
ADDR
A10/AP
CL=2
CL=3
WE
DQM
HIGH
*Note2
RAa
CAa
RBb
RAa
Read
(A-Bank)
Row Active
Row Active
(B-Bank)
(A-Bank)
Read
(A-Bank)
Read
(B-Bank)
Read
(A-Bank)
Read
(B-Bank)
Precharge
(A-Bank)
: Don't care
DQ
CBb
CAc
CBd
CAe
QAa0
*Note1
RBb
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
QAa1 QAa2 QAa3
QBb0
QBb1 QBb2
QBb3
QAc0
QAc1 QBd0
QBd1
QAe0
QAe1
QAa0 QAa1 QAa2 QAa3
QBb0 QBb1
QBb2 QBb3
QAc0
QAc1 QBd0
QBd1 QAe0
QAe1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
M12L32162A-7TG 1M x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM
M12L64164A-5BG 1M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM
M12L64164A-6BG 1M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM
M12L64164A-7BG 1M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM
M12L64322A-5BG 512K x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM
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參數(shù)描述
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M12L32162A-7TG 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:1M x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM
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